[发明专利]一种用于立方晶系的晶体切割方法有效
申请号: | 201910537115.7 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110202708B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李莹;罗胜年;李超;卢磊 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 立方 晶系 晶体 切割 方法 | ||
本发明专利涉及晶体的切割技术领域,具体涉及一种用于立方晶系的晶体切割方法,包括以下操作:将待切割的晶体固定于扫描电镜中,表征出法向晶向;根据该法向晶向获取所需的晶格,建立所需晶体坐标系;进行1)或2)任意一步骤;1)根据晶向的角度关系计算待旋转的角度并旋转该待切割晶体,使该旋转待切割晶体的晶格的一个面与所需晶体坐标系的一个面重合;进行切割,使已切割晶体的晶格为所需晶格;2)切割所述晶体,使切出的切面与所需晶体坐标系的一个面平行并保持该平行关系,计算待旋转的角度并旋转该单晶体至所需的角度,得到所需晶格。本发明只采用了普遍扫描电镜和线切割设备就可以方便,快捷,切割出想要立方晶系晶向。
技术领域
本发明专利涉及晶体的切割技术领域,具体涉及一种用于立方晶系的晶体切割方法。
背景技术
目前晶体的切割技术是对晶体加工的重要工序,在该工序中会有晶向要求,针对晶体的各项特性,对各种晶体的使用也有着不同的晶向要求。在许多时候,所需要晶体是立方晶系,但是目前的立方晶系晶体切割任然采用一个复杂的调晶机构,包括旋转机构和俯仰机构进行调整。通过调晶机构在其自身旋转方向上调整待切割晶体的空间姿态,使得电流表达到峰值;再将晶向检测机构的检测装置旋转90°,通过调晶机构在其俯仰方向上调整待切割晶体的空间姿态,使得电流表达到峰值;锁定调晶机构,对待切割晶体进行切割,或者使用复杂的三维调整器械对晶体进行旋转。目前在针对立方晶系的加工,依然采用的较为复杂的设备,如晶体切割需要将工作台、检测机构和调整机构组装在一起,复杂、耗时,且检测机构只有这一个用途,资源利用低效,也造成了对晶体切割的低效。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种针对立方晶系的、方便、快捷、让没有调整机构的情况下也可以快捷的切割出想要的晶向的方法。
为了实现上述目的,本申请采用的技术方案是一种用于立方晶系的晶体切割方法,包括以下操作:
将待切割的晶体固定于扫描电镜中的样品台中,用于对待切割的晶体表征出法向晶向;
根据该法向晶向获取所需的晶格,根据该所需晶格得到所需晶体坐标系;
然后可选择的进行1)或2)任意一步骤;
1)根据晶向的角度关系计算待旋转的角度并旋转该待切割晶体,使该旋转待切割晶体的晶格的一个面与所需晶体坐标系的一个面重合;在重合的两面不分离的情况下,进行切割,使已切割晶体的晶格为所需晶格;
2)切割上述晶体,使切出的切面与所需晶体坐标系的一个面平行并保持该平行关系,根据晶向的角度关系计算待旋转的角度并旋转该晶体至所需的角度,得到所需晶格。
由此为了调整方便,上述的待切割晶体自身也可设定坐标系,可称为样品坐标系。
上述的步骤1)和2)可以根据具体的情况进行选择,如待切割单晶的自身坐标轴(样品坐标系)晶向指数较小时,偏转角度较小时可以优选采用步骤2),在轴晶向指数较大时,优选采用步骤1)。
现在对晶体加工需要一套如调晶机构,包括旋转机构和俯仰机构等一系列的复杂机构,本发明只采用了普遍扫描电镜和线切割设备就可以方便,快捷,切割出想要的立方晶系晶体晶向,特别是在没有调整机构的情况下,本方法特别适用。
进一步的是,进行1)步骤时,包括以下操作:
将待切割晶体设置于扫描电镜中的样品台上,根据晶向的角度关系计算待旋转的角度并旋转该待切割晶体,使该旋转待切割晶体的晶格的一个面与所需晶体坐标系的一个面重合,进行切割,使已切割晶体的法向晶向与所需晶体坐标系的其中一轴平行,得到所需晶格。
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