[发明专利]用于有机发光器件的光提取结构及包括其的有机发光器件在审
申请号: | 201910536486.3 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN111200078A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 隋运武;万方 | 申请(专利权)人: | 江苏三月光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214112 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 发光 器件 提取 结构 包括 | ||
1.一种用于有机发光器件的光提取结构,其特征在于,所述的光提取结构包括基底及光提取层,所述基底的一侧具有粗化结构表面;所述光提取层形成于基底粗化结构表面上,并且包括全氢聚硅氮烷固化形成的基质和散布其中的高折射率纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的光提取结构,其特征在于,所述基底为柔性基底,其选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜树脂(PES)以及环烯烃共聚物(COC)中的任意一种材料;所述基底的表面平均粗糙度Ra为10~1000nm,优选为50~800nm,更优选200~600nm。
3.根据权利要求1所述的光提取结构,其特征在于,所述光提取层采用先驱体衍生法制备,所述先驱体为含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液。
4.根据权利要求1所述的光提取结构,其特征在于,所述全氢聚硅氮烷的数均分子量为300-3000,优选500-2500,其以溶液的形式使用;所述全氢聚硅氮烷溶液的溶剂选自甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃、二甲苯、正己烷、正戊烷、酯类或醚类。
5.根据权利要求4所述的光提取结构,其特征在于,全氢聚硅氮烷的用量为,基于全氢聚硅氮烷溶液总重量计的10-50wt%,优选20-40wt%,更优选20-30wt%。
6.根据权利要求5所述的光提取结构,其特征在于,所述高折射率纳米颗粒的用量为,基于全氢聚硅氮烷溶液固含量重量计的5-70wt%,优选10-60wt%,更优选15-50wt%;
所述的高折射率纳米颗粒的粒径为1-20nm,优选1-15nm;
所述高折射率纳米颗粒选自氧化锆、氧化铟、氧化铟锡、氧化铈、氧化镉、氧化铝、二氧化锰、氧化锌、二氧化钛、五氧化二铌、五氧化二钽、氧化铬、氧化镍、氧化铅、氧化锡、氧化铜、氧化钼、硅、氧化铪、氧化锰、碳酸钙、钛酸钡、碳化硅、氮化硅、氮化铝、硫化银、硫化锌、硫化钡、硫化钙、硫化镉、钛酸锆、铬酸铅或聚合物颗粒中的一种以上。
7.根据权利要求1所述的光提取结构,其特征在于,所述光提取层设置一层或多层,其厚度为200-1000nm,优选300-800nm。
8.一种有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件内部包含权利要求1-7任一项所述的光提取结构,其还包括第一电极、第二电极和有机发光部分,其中在光提取结构的光提取层上依次设置第一电极、有机发光部分和第二电极。
9.如权利要求1-7任一项所述的光提取结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将基底一侧的表面进行粗糙化处理;
(2)将高折射率纳米颗粒与全氢聚硅氮烷溶液进行混合来制备混合液;
(3)将含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液涂覆于基底粗糙化表面;
(4)对涂覆了的混合液进行干燥;
(5)对已干燥的混合液进行固化;
(6)任选地,在涂层固化后,重复步骤(3)至(5)一次或多次。
10.如权利要求8所述的有机发光器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将基底一侧的表面进行粗糙化处理;
(2)将高折射率纳米颗粒与全氢聚硅氮烷溶液进行混合来制备混合液;
(3)将含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液涂覆于基底粗糙化表面;
(4)对涂覆了的混合液进行干燥;
(5)对已干燥的混合液进行固化;
(6)任选地,在涂层固化后,重复步骤(3)至(5)一次或多次;
(7)在上述的光提取结构的光提取层上,依次构筑第一电极、有机发光部分和第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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