[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910536451.X | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110323138B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 房子荃 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、在P型衬底中自下而上依次形成N型埋层和P型外延层；
步骤二、在P型衬底的硅表面形成场氧区；
步骤三、所述P型衬底上分别形成N阱和P阱，所述场氧区位于所述N阱中的表面区域；
步骤四、在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上形成栅极，所述栅极与所述P阱纵向部分交叠，所述栅极与所述N阱纵向之间留有间隙；
步骤五、采用选择性的常规斜角LDD离子注入在所述栅极与所述N阱之间的间隙形成位于所述P型衬底表面处的N型LDD区域；
步骤六、在所述P阱和N阱的表面区域形成N型重掺杂区，并且在所述P阱表面区域形成P型重掺杂区；
步骤七、在所述栅极和所述场氧区上形成接触孔，将所述接触孔连接于金属线。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述P型衬底中采用离子注入的方法形成N型埋层。
3.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤一中所述P型外延层生长于所述P型衬底上。
4.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤二中在所述P型衬底的硅表面形成场氧区的方法为：先在所述硅表面淀积氧化层，之后刻蚀该氧化层形成所述场氧区。
5.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤三在所述P型衬底上分别形成N阱和P阱的方法为：采用光刻分别打开注入区域，分别注入N型杂质离子和P型杂质离子。
6.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上形成栅极的方法为：先在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上淀积一层栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的多晶硅层，之后刻蚀该多晶硅层和栅氧化层，形成所述栅极。
7.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述N型重掺杂区的方法为：采用选择性的进行常规的源漏离子注入。
8.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述P型重掺杂区的方法为：采用选择性的进行常规的源漏离子注入。
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