[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法、制造芯片的方法在审
| 申请号： | 201910536353.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110459659A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;张奕;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲层 单质 衬底 发光二极管外延 混合物 纯净物 芯片 制造 半导体技术领域 垂直结构 依次层叠 整体呈现 外延片 源层 激光 增设 吸收 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括依次层叠的衬底(10)、第一缓冲层(20)、第二缓冲层(30)、N型半导体层(40)、有源层(50)和P型半导体层(60)；所述第一缓冲层(20)为Al单质(21)和AlN化合物(22)的混合物，所述Al单质(21)混在所述AlN化合物(22)中，使所述第一缓冲层(20)呈现灰色或者黑色；所述第二缓冲层(30)为AlN化合物的纯净物，使所述第二缓冲层(30)呈现白色。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Al单质(21)和所述AlN化合物(22)的摩尔比为0.02～0.1。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一缓冲层(20)的厚度为10nm～100nm。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二缓冲层(30)的厚度为1μm～10μm。
5.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层为Al单质和AlN化合物的混合物，所述Al单质混在所述AlN化合物中，使所述第一缓冲层呈现灰色或者黑色；
在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，所述第二缓冲层为AlN化合物的纯净物，使所述第二缓冲层呈现白色；
在所述第二缓冲层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一缓冲层，包括：
将衬底放入金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD反应室内；
在第一阶段，持续向所述MOCVD反应室内通入TMAl和NH3，生成AlN化合物，所述AlN化合物沉积在所述衬底上；
在第二阶段，停止向所述MOCVD反应室内通入NH3，持续向所述MOCVD反应室内通入TMAl，生成Al单质，所述Al单质混在所述AlN化合物中；
交替进行所述第一阶段和所述第二阶段，形成所述缓冲层。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一缓冲层，包括：
将衬底放入金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD反应室内；
在第三阶段，持续向所述MOCVD反应室内通入第一流量的TMAl和第二流量的NH3，生成Al化合物，所述AlN化合物沉积在所述衬底上；
在第四阶段，持续向所述MOCVD反应室内通入所述第一流量的TMAl和第三流量的NH3，生成Al单质，所述Al单质混在所述AlN化合物中，所述第三流量小于所述第二流量；
交替进行所述第三阶段和所述第四阶段，形成所述缓冲层。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一缓冲层，包括：
将衬底放入物理气相沉积PVD反应室内；
持续向所述PVD反应室内通入第四流量的N2和Ar，Ar形成等离子体轰击Al靶材，与N2形成的等离子体反应，生成Al单质和AlN化合物，所述Al单质混在所述AlN化合物中沉积在所述衬底上。
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