[发明专利]一种自组装结晶/非晶氧化镓相结光电探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910535134.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110350043B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吴真平;王月晖 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/109;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100191 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 组装 结晶 氧化 镓相结 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电探测器，包括c面蓝宝石衬底、氧化镓薄膜和电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜采用磁控溅射形成在所述c面蓝宝石衬底上，包括混合的结晶区域和非晶区域，所述结晶区域和非晶区域之间形成作为n型同质结的结晶/非晶Ga2O3相结，所述氧化镓薄膜的厚度为100～300nm。
2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述氧化镓薄膜的厚度为200nm。
3.一种制备光电探测器的方法，包括：
采用磁控溅射在c面蓝宝石衬底上形成氧化镓薄膜，并在氧化镓薄膜上形成电极；
磁控溅射得到的所述氧化镓薄膜包括混合的结晶区域和非晶区域，所述结晶区域和非晶区域之间形成作为n型同质结的结晶/非晶Ga2O3相结；所述氧化镓薄膜的厚度为100～300nm。
4.如权利要求3所述的制备光电探测器的方法，其特征在于：在衬底上形成氧化镓薄膜的步骤包括：采用磁控溅射技术，以99.99％纯度的Ga2O3陶瓷为靶材，在温度为400℃～500℃的衬底上溅射生长所述氧化镓薄膜；其中，磁控溅射技术的具体生长参数如下：背底真空压强小于1×10-4Pa，工作气氛为Ar气和O2，比例为6:1，工作气压为1Pa，溅射功率为70W，溅射时间为120min。
5.如权利要求4所述的制备光电探测器的方法，其特征在于：所述衬底温度为450℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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