[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2018年9月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0112214的优先权，该申请的公开内容通过全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及电子领域，更具体地，涉及一种半导体器件。

背景技术

为了增加半导体器件的集成密度，已经提出了多桥沟道元件和将纳米线状的硅主体形成在衬底上并将栅极形成为围绕硅主体的纳米片元件。由于多栅极晶体管、多桥沟道元件和纳米片元件包括三维沟道，所以按比例缩小半导体器件的大小可以是相对容易的。此外，电流控制能力可以得到改善而不增加多栅极晶体管的栅极长度。

发明内容

根据本发明构思的一些实施例，半导体器件可以通过调整被用作晶体管的沟道区的布线图案的数量而具有改善的电流控制能力。

根据本发明构思的一些实施例，半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。所述第二布线图案可以与所述第一布线图案间隔开并沿所述第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。

根据本发明构思的实施例，半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并可以沿第一方向延伸。所述半导体器件还可以包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，其可以在第一方向上彼此间隔开并可以至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；以及第一源/漏区，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间。所述第一源/漏区可以在所述第一布线图案上并可以延伸通过所述第二布线图案。半导体器件还可以包括：第二源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第三栅极结构之间。所述第二源/漏区可以延伸通过所述第一布线图案和所述第二布线图案。附加地，半导体器件可以包括：第一间隔部，在所述第一源/漏区和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。第一间隔部可以包括第二间隔部所包括的材料。