[发明专利]一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法及结构

权利要求书

1.一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：所述的第一缓冲层采用AlN缓冲层，所述的第二缓冲层采用GaN缓冲层，所述势垒层采用AlGaN势垒层，在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%，

当所述的HEMT结构所需翘曲为5um时，所述的AlGaN插入层厚度为10nm、所述的AlGaN插入层中Al的组分为20%；

当所述的HEMT结构所需翘曲大于±5um时，所述的AlGaN插入层厚度为10nm、所述的AlGaN插入层中Al的组分为5%-20%，或所述的AlGaN插入层厚度为5nm-10nm、所述的AlGaN插入层中Al的组分为20%；

当所述的HEMT结构所需翘曲小于±5um时，所述的AlGaN插入层厚度为10nm、所述的AlGaN插入层中Al的组分为20%-30%，或所述的AlGaN插入层厚度为10nm-50nm、所述的AlGaN插入层中Al的组分为20%。

2.根据权利要求1所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：当所述的翘曲为-10um并且10um时，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。

3.根据权利要求1所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：该制备方法包括：

将所述的SiC基衬底在1000℃-1200℃的H2氛围下烘烤5-10分钟，

在1000℃~1100℃的温度下通入氨气、TMAl：在所述的SiC基衬底上生长所述的第一缓冲层，

在1000℃~1100℃的温度下同时通入氨气、TMGa以及TMAl：在所述的第一缓冲层上生长所述的AlGaN插入层，

在1000℃~1100℃的温度下通入氨气、TMGa：在所述的AlGaN插入层上生长所述的第二缓冲层，

在1000℃~1100℃的温度下同时通入氨气、TMGa以及TMAl：在所述的第二缓冲层上生长所述的势垒层。

4.根据权利要求3所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：所述的第一缓冲层的厚度在20-200nm；所述的第二缓冲层的厚度在1-2um。

5.根据权利要求3所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：所述的势垒层为HEMT势垒层。

6.根据权利要求3所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：所述的势垒层的厚度在20-30nm。

7.根据权利要求1所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：所述的SiC基衬底为Si面SiC衬底。

8.根据权利要求1所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：所述的SiC基衬底为半绝缘或n型SiC衬底。

9.一种翘曲可调的SiC基HEMT结构，其特征在于：其由权利要求1至8中任意一项所述的制备方法制得。