[发明专利]像素驱动电路及显示面板

说明书

本申请实施例提供的像素驱动电路及显示面板，采用4T1C结构的像素驱动电路对每一像素中的驱动晶体管的阈值电压进行有效补偿，且补偿所需的时间较短，该像素驱动电路的补偿结构较为简单，从而在设计时并不需要占用大量面积。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板具有高亮度、宽视角、响应速度快、低功耗等优点，目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。其中，在OLED显示器面板中，像素被设置成包括多行、多列的矩阵状，每一像素通常采用由两个晶体管与一个电容构成，俗称2T1C电路，但晶体管存在阈值电压漂移的问题，因此，OLED像素驱动电路需要相应的补偿结构。目前，OLED像素驱动电路的补偿结构较为复杂，在设计布局时占用大量面积，不利于高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)显示面板的设计；另外，现有的OLED像素驱动电路的补偿结构补偿所需的时间较长。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种像素驱动电路及显示面板，能够解决现有的像素驱动电路的补偿结构较为复杂，在设计布局时占用大量面积，且补偿所需的时间较长的技术问题。

本申请实施例提供一种像素驱动电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电容以及发光器件；

所述第一晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第一晶体管的源极电性连接于第一电源电压，所述第一晶体管的漏极电性连接于第二节点；

所述第二晶体管的栅极电性连接于第一控制信号，所述第二晶体管的源极电性连接于数据信号，所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第一节点；

所述第三晶体管的栅极以及源极均电性连接于所述第一节点，所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极电性连接；

所述第四晶体管的栅极电性连接于第二控制信号，所述第四晶体管的漏极电性连接于所述第二节点；

所述电容的第一端电性连接于所述第一节点，所述电容的第二端电性连接于所述第二节点；

所述发光器件的阳极端电性连接于所述第二节点，所述发光器件的阴极端电性连接于第二电源电压。

在本申请所述的像素驱动电路中，所述第一控制信号、所述第二控制信号、所述数据信号相组合先后对应于初始阶段、阈值电压获取阶段，数据电压获取阶段以及发光阶段；所述数据信号包括参考电位以及显示电位，所述参考电位大于所述第三晶体管的阈值电压，且所述参考电位小于所述显示电位。

在本申请所述的像素驱动电路中，在所述初始阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为高电位，所述数据信号为所述参考电位。

在本申请所述的像素驱动电路中，在所述阈值电压获取阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为低电位，所述数据信号为所述参考电位。

在本申请所述的像素驱动电路中，在所述数据电压获取阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为低电位，所述数据信号为所述显示电位。

在本申请所述的像素驱动电路中，在所述发光阶段，所述第一控制信号为低电位，所述第二控制信号为低电位，所述数据信号为低电位。

在本申请所述的像素驱动电路中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。

在本申请所述的像素驱动电路中，所述第三晶体管的阈值电压大于或等于所述第一晶体管的阈值电压。

在本申请所述的像素驱动电路中，所述第一电源电压的电压值大于所述第二电源电压的电压值。