[发明专利]一种浮法硅片的生产设备及其生产方法

权利要求书

1.一种浮法硅片的生产设备，包括坩埚（1）和高温料槽（2），其特征在于：所述高温料槽（2）底部设置有第一加热器（3），高温料槽（2）的出料端通过伺服电机（4）连接有拉杆（5），拉杆（5）的顶部连接有片状籽晶（6），高温料槽（2）出料端的外侧设置有若干个托辊（7），托辊（7）内设置有冷却器（8），片状籽晶（6）外侧设置有加热框架（9），加热框架（9）与片状籽晶（6）间隙配合，加热框架（9）固定在拉杆（5）上，加热框架（9）内设置有若干个组第二加热器（10）；第一加热器（3）包括若干个圆形加热体（11），高温料槽（2）表面开设有与圆形加热体（11）一一对应的第一凹孔（12），第一凹孔（12）位于圆形加热体（11）的中心，第一凹孔（12）与高温料槽（2）表面相垂直，第一凹孔（12）侧面连通有倾斜设置的第二凹孔（13），第二凹孔（13）与高温料槽（2）表面的连接处到第一凹孔（12）与高温料槽（2）表面的连接处的距离大于圆形加热体（11）的半径；加热框架（9）的内侧面固定有弧形辐射板（17）；弧形辐射板（17）上设置有若干个通孔（14），通孔（14）的轴线与弧形辐射板（17）的轴线相交；加热框架（9）上设置有导流孔（15），导流孔（15）与拉杆（5）相互平行，导流孔（15）的内侧设置有若干个旁通孔（16），旁通孔（16）的数量小于通孔（14）的数量，每个旁通孔（16）与不同的通孔（14）相连通。

2.一种权利要求1所述的浮法硅片的生产设备的浮法硅片生产方法，其特征在于包括以下步骤：

A、将坩埚（1）与高温料槽（2）置于真空环境中，使用坩埚（1）将多晶硅原料加热至熔融状态，将熔融状态的多晶硅原料注入高温料槽（2）中，在高温料槽（2）中形成厚度小于1cm的熔融硅薄层；

B、伺服电机（4）通过拉杆（5）向高温料槽（2）外侧拉动片状籽晶（6），拉动速度为0.3～0.9mm/min，与此同时第二加热器（10）对片状籽晶（6）边缘进行加热,拉动过程中多晶硅原料在片状籽晶（6）表面生长结晶，得到浮法硅片；

C、冷却器（8）对移动至托辊（7）上方的浮法硅片进行冷却。

3.根据权利要求2所述的浮法硅片的生产设备的浮法硅片生产方法，其特征在于：步骤C中，当第二加热器（10）被拉出高温料槽（2）后，第二加热器（10）的加热功率与第二加热器（10）离开高温料槽（2）的时长的平方成反比。