[发明专利]一种微流控芯片及其应用

权利要求书

1.一种微流控芯片装置，其特征在于，所述微流控芯片装置包括垂直叠加的多个液滴生产芯片层；

所述液滴生产芯片层平行分布；

所述液滴生产芯片层包括至少一个液滴生成再分裂处理单元；

所述液滴生成再分裂处理单元包括一个液滴生成单元、与各个所述液滴生成单元配套的分裂单元和一个流体出口；

在所述液滴生成单元，分散相被连续相切割成第0级液滴；

在所述分裂单元，所述第0级液滴被分成第N级液滴，N为≥1的任意正整数；

所述液滴生成单元包括连续相通道、连续相入口、分散相通道、分散相入口、第0级液滴通道；

所述连续相通道与所述分散相通道在第0级液滴生成处连通，所述第0级液滴通道与所述分裂单元连通；

所述连续相切割所述分散相形成所述第0级液滴，所述第0级液滴经第0级液滴通道进入分裂单元；

所述微流控芯片装置还包括多个流体分布芯片层；

所述流体分布芯片层平行分布；

所述流体分布芯片层包括分散相流体分布芯片层和连续相分布芯片层；

所述分散相流体分布芯片层和连续相分布芯片层分别将分散相和连续相导入所述液滴生产芯片；

在重力方向上，从上往下垂直叠加有L个连续相分布芯片层，K个分散相分布芯片层，M个液滴生产芯片层；

连续相分布芯片层上在重力方向设置第一通道，所述第一通道将所有连续相分布芯片层入口连通到微流控芯片装置外部；

连续相分布芯片上在重力方向设置第二通道，所述第二通道将分散相分布芯片层入口连通到微流控芯片装置外部；

在分散相分布芯片层上的重力方向上设置第三通道，所述第三通道连通分散相分布芯片层的出口和液滴生产芯片层的分散相入口；

在分散相分布芯片层上的重力方向上设置第四通道，所述第四通道连通连续相分布芯片层的出口和液滴生产芯片层的连续相入口；

在连续相分布芯片上的重力方向上设置第五通道，所述第五通道连通连续相分布芯片的出口经分散相分布芯片的第四通道连通到液滴生产芯片层的连续相入口；

在液滴生产芯片层上在重力方向上设置第六通道，所述第六通道连通液滴生产芯片分散相入口到分散相分布芯片的分散相出口；

在液滴生产芯片层上在重力方向上设置第七通道，所述第七通道连通液滴生产芯片连续相入口经分散相芯片的第四通道连接到连续相分布芯片的连续相出口。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片装置，其特征在于，所述液滴生产微流控芯片中液滴生成再分裂处理单元的平行分布的平行方向与微流控芯片层的叠加方向垂直。

3.根据权利要求1所述的微流控芯片装置，其特征在于，所述分裂单元包括N级分裂通道，N为≥1的任意正整数；

每级分裂通道包括第N级分裂通道以及与所述第N级分裂通道连通的至少两个第(N+1)级分裂通道；

所述第0级液滴经过所述N级分裂通道的逐级分割，形成第N级液滴。

4.根据权利要求3所述的微流控芯片装置，其特征在于，同一级分裂通道中，各个所述第(N+1)级分裂通道尺寸是一样的，并且不大于上一级通道的0.8倍。

5.根据权利要求3所述的微流控芯片装置，其特征在于，1≤N≤16。

6.根据权利要求1所述的微流控芯片装置，其特征在于，所述液滴生成再分裂处理单元中，所述液滴生成单元的数量为1～256。

7.根据权利要求5所述的微流控芯片装置，其特征在于，所述液滴生成再分裂处理单元环绕芯片装置中心呈环形分布。

8.根据权利要求1所述的微流控芯片装置，其特征在于，所述分散相分布芯片设置有一个分散相入口，多个分散相分布通道及出口，并且和液滴生成再分裂处理单元的分散相入口相通。

9.根据权利要求1所述的微流控芯片装置，其特征在于，所述连续相分布芯片设置有一个连续相入口，多个连续相分布通道及出口，并且和液滴生成再分裂处理单元的连续相入口相通。