[发明专利]一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器

权利要求书

1.一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：包括紧密贴合的底层、中间层和顶层三种结构，所述底层为微带功率分配器，所述中间层为介质腔，所述顶层为人工磁导体周期结构，所述微带功率分配器设置于介质基板的上表面，所述介质腔设置于介质板上，所述人工磁导体周期结构设置于电磁带隙介质基板上。

2.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述介质板上设置有镂空槽，所述镂空槽的长度和宽度大于微带功率分配器的长度和宽度，电磁波在镂空槽与顶层电磁带隙介质基板形成的介质腔中传播。

3.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述电磁带隙介质基板上设置有蘑菇型人工磁导体阵列结构，蘑菇型人工磁导体阵列结构由顶部金属层与介质基板、金属通孔以及底部金属圆片共同构成具有电磁带隙性能的人工磁导体结构。

4.根据权利要求3所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述蘑菇型人工磁导体阵列结构为10×20宫格式结构。

5.根据权利要求3所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述顶部金属层设于人工磁导体阵列结构的上表面，介质层设于中间，金属圆片设于下表面，与金属圆片圆心相连的为金属通孔，金属圆片圆心通过金属通孔与上表面金属板相连。

6.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述介质腔的位置位于微带功率分配器的正上方。

7.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述介质腔的形状与微带功率分配器匹配，介质腔的尺寸大于微带功率分配器的尺寸。

8.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述微带功率分配器介质基板、介质腔与人工磁导体周期结构构成的电磁带隙介质基板为垂直方向紧密贴合的三层结构。

9.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述微带功率分配器的传输线阻抗均为50欧姆。

10.根据权利要求1所述的一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，其特征在于：所述微带功率分配器输入端口处阻抗变换传输线长度为1/4波长。