[发明专利]一种用于真空镀膜腔体内配件分离沉积膜层的方法

权利要求书

1.一种用于真空镀膜腔体内配件分离沉积膜层的方法，其特征在于，所述方法如下，将腔体温度升高到400℃-450℃后，在将液氮冷却物通入，直到温度骤降到50℃后停止通入，降温过程限制在1min内，通过温控系统控制氮气通入与关闭。

2.采用权利要求1所述方法在PECVD设备腔体内部氮化硅沉积膜层的去除方法，其特征在于，所述方法如下：

步骤一：利用载板传送硅片并在上面镀膜，工艺气体NH3和SiH4通过出口和进入等离子发生器等系列设备，在真空、高温环境中将参与反应的工艺气体NH3和SiH4分解为离子状态，形成高密度等离子区，然后在永磁体的作用下沉积到达硅片表面；同时，在腔体内部沉积氮化硅膜层；

步骤二：可在设备腔体内部使用电弧喷涂的方式喷上一层涂层，

步骤三：然后在正常工艺生产时的控制温度450℃左右环境下，在设备维护清理前将工艺结束，直接开启液氮冷却系统，将温度从450℃直接降低到50℃，降温时间控制在一分钟左右，

步骤四：这时温控系统就会自动停止液氮通入，液氮流量0.05-0.15 slpm，同时打开真空泵。

3.根据权利要求2所述的用于真空镀膜腔体内配件分离沉积膜层的方法，其特征在于，所述步骤二具体如下：可在设备腔体内部使用电弧喷涂的方式喷上一层涂层，厚度在300μm～500μm之间，材料选用BA717无机耐热聚釉陶瓷防腐防氧化漆，利用涂层保证在多次升温降温过程中腔体材料不会发生变化，保证设备后续运行中的密封性和工艺稳定性。

4.采用权利要求1所述方法在可拆卸配件氮化硅沉积膜层的去除方法：其特征在于，先将需要清理的配件按照正确的操作依次拆下，将拆下的配件放入特制的马弗炉中进行加热降温，待工艺程序执行完将配件取出，最后按照拆卸顺序装上即可，马弗炉设备的工艺条件为: 先自动加热20min，温度设定为400℃，然后加热过程停止，进行冷却降温过程，降温过程使用液氮吹扫炉体10min，液氮流量控制在0.05-0.15 slpm，同时热排打开，液氮停止后等待5min，待内部压力平衡温度稳定后自动开启马弗炉炉门，工艺结束。