[发明专利]移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置在审
申请号: | 201910528404.0 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN110246447A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 刘幸一;吴鹏;汪弋;周纪登;吕凤珍 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 下拉 节点控制 移位寄存器单元 电路 偏置控制电路 栅极驱动电路 电位 显示装置 电压端 晶体管 上拉 断开 阈值电压漂移 驱动 电路控制 预定电压 栅源电压 连通 | ||
1.一种移位寄存器单元,其特征在于,包括下拉节点控制电路和偏置控制电路,其中,
所述下拉节点控制电路的控制端与上拉节点电连接,所述下拉节点控制电路的第一端与下拉节点电连接,所述下拉节点控制电路的第二端与第一电压端电连接,所述下拉节点控制电路用于在上拉节点的电位的控制下,控制所述下拉节点与所述第一电压端之间连通或断开;
所述偏置控制电路与所述上拉节点电连接,用于在所述下拉节点控制电路控制所述下拉节点与所述第一电压端之间断开时,通过控制所述上拉节点的电位,以控制所述下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的栅源电压处于预定电压范围内。
2.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管,所述预定电压范围为小于0;或者,
所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管,所述预定电压范围为大于0。
3.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉节点控制电路包括一个下拉节点控制晶体管;
所述下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接,所述下拉节点控制晶体管的第一极与所述下拉节点电连接,所述下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接;
所述偏置控制电路包括偏置控制晶体管;
所述偏置控制晶体管的控制极与偏置控制端电连接,所述偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接,所述偏置控制晶体管的第二极与第二电压端电连接;
所述偏置控制端用于提供偏置控制信号,以使得在所述下拉节点控制晶体管关断时,控制所述偏置控制晶体管导通。
4.如权利要求3所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述偏置控制电压端为下拉控制节点;
所述下拉节点控制电路还包括下拉控制节点控制电路和下拉控制晶体管;
所述下拉控制节点控制电路用于在所述上拉节点的电位的控制下,控制所述下拉控制节点的电位;
所述下拉控制晶体管的控制极与所述下拉控制节点电连接,所述下拉控制晶体管的第一极与电源电压端电连接,所述下拉控制晶体管的第二极与所述下拉节点电连接。
5.如权利要求3或4所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管,在所述下拉节点控制晶体管关断时,第二电压小于第一电压;或者,所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管,在所述下拉节点控制晶体管关断时,第二电压大于第一电压;
所述第一电压端用于输入所述第一电压,所述第二电压端用于输入所述第二电压。
6.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉节点包括第一下拉节点和第二下拉节点;所述下拉节点控制电路包括第一下拉节点控制晶体管和第二下拉节点控制晶体管;
所述第一下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接,所述第一下拉节点控制晶体管的第一极与所述第一下拉节点电连接,所述第一下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接;
所述第二下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接,所述第二下拉节点控制晶体管的第一极与所述第二下拉节点电连接,所述第二下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接;
所述偏置控制电路包括第一偏置控制晶体管和第二偏置控制晶体管;
所述第一偏置控制晶体管的控制极与第一偏置控制端电连接,所述第一偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接,所述第一偏置控制晶体管的第二极与第二电压端电连接;
所述第二偏置控制晶体管的控制极与第二偏置控制端电连接,所述第二偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接,所述第二偏置控制晶体管的第二极与第三电压端电连接;
所述第一偏置控制端用于提供第一偏置控制信号,以使得所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管关断时,控制所述第一偏置控制晶体管导通;
所述第二偏置控制端用于提供第二偏置控制信号,以使得所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管关断时,控制所述第二偏置控制晶体管导通。
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