[发明专利]图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法在审
申请号: | 201910522960.7 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN112103301A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 刘坤;谢勇;张成强 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 曾尧 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 终端 以及 制造 方法 | ||
本公开涉及一种图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法,用于解决相关技术中像素之间存在串扰的技术问题。所述图像传感器包括:位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构;所述边缘像素结构包括衬底以及倾斜铺设于所述衬底上的第一光电二极管,所述第一光电二极管朝所述中心像素结构倾斜。
技术领域
本公开涉及图像传感器领域,具体地,涉及一种图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法。
背景技术
图像传感器是相机的关键组成单元,功能是把光信号转换为数字图像。图像传感器包含像素阵列,逻辑控制阵列,数字成像处理等模块。其中像素阵列是把光信号转换为模拟电信号。通常像素阵列采用bayer结构,红绿蓝像素周期性的排列,随着像素尺寸越来越小,像素之间的串扰随之增大。
发明内容
本公开提供一种图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法,以解决相关技术中像素之间存在串扰的技术问题。
为实现上述目的,本公开实施例的第一方面,提供一种图像传感器,包括:位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构;所述边缘像素结构包括衬底以及倾斜铺设于所述衬底上的第一光电二极管,所述第一光电二极管朝所述中心像素结构倾斜。
可选地,所述边缘像素结构还包括:
第一浅槽隔离,设于所述第一光电二极管两侧;
第一阱隔离,连接于所述第一浅槽隔离。
可选地,所述第一阱隔离倾斜设置于所述第一光电二极管的两侧,且所述第一阱隔离倾斜的方向与所述第一光电二极管倾斜的方向一致。
可选地,所述边缘像素结构还包括:
第一金属互联层,连接于所述第一光电二极管,所述第一金属互联层设置于所述第一浅槽隔离上方,相邻的所述第一金属互联层之间设有第一通孔;
第一彩色滤镜,铺设于所述第一金属互联层上方;
第一微透镜,铺设于所述第一彩色滤镜上且位于所述第一通孔上方。
可选地,所述第一微透镜横跨于相邻的两个所述第一通孔。
可选地,所述中心像素结构包括:
第二光电二极管,竖向铺设于所述衬底上;
第二浅槽隔离,设于所述第二光电二极管两侧;
第二阱隔离,连接于所述第二浅槽隔离且竖向设于所述第二光电二极管两侧;
第二金属互联层,连接于所述第二光电二极管,所述第二金属互联层设置于所述第二浅槽隔离上方,相邻的所述第二金属互联层之间设有第二通孔;
第二彩色滤镜,铺设于所述第二金属互联层上方;
第二微透镜,铺设于所述第二彩色滤镜上且位于所述第二通孔上方。
可选地,所述第一光电二极管的倾斜角度与所述第一光电二极管和所述中心像素结构之间的距离正相关。
本公开实施例的第二方面,提供一种终端,所述终端包括上述第一方面中任一项所述的图像传感器。
本公开实施例的第三方面,提供一种图像传感器的制造方法,包括:
第一步骤:在提供的衬底上形成浅槽隔离后,在所述浅槽隔离上以第一注入能量注入第一剂量的第一类型离子以形成阱隔离;
第二步骤:平移第一预设距离,在形成的所述阱隔离上以第二注入能量注入第二剂量的第一类型离子以继续形成阱隔离;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的