[发明专利]一种校准示波器通道的测量延时方法、装置及校准设备有效

专利信息
申请号: 201910522840.7 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110376539B 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 郑丹;范涛;温旭辉 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李博洋
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 校准 示波器 通道 测量 延时 方法 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,包括如下步骤:

获取用于测量待测功率半导体器件开关特性的开关动态波形图;

根据所述待测功率半导体器件在同一驱动状态下的待测电压与待测电流在同一时刻存在波形转折,分别获取所述待测电压发生所述波形转折的第一波形转折点和所述待测电流发生所述波形转折的第二波形转折点;

根据所述开关动态波形图,获取所述第一波形转折点与所述第二波形转折点之间的相对偏移位置,并确定所述相对偏移位置对应的偏移时间;

根据特征时间和所述偏移时间,计算二者之间的时间差值,所述时间差值为所述第一波形转折点与所述第二波形转折点之间的相对偏移时间;所述特征时间用于表征所述第一波形转折点或第二波形转折点所对应的时刻;

根据所述时间差值,调整所述开关动态波形图使得所述第一波形转折点与所述第二波形转折点之间的所述相对偏移时间为零。

2.根据权利要求1所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述开关动态波形图包括所述待测功率半导体器件分别在正向驱动状态下形成的开通动态波形图和在反向驱动状态下形成的关断动态波形图。

3.根据权利要求2所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述同一驱动状态为所述待测功率半导体器件同在所述正向驱动状态或所述待测功率半导体器件同在所述反向驱动状态。

4.根据权利要求3所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述第一波形转折点为所述待测电压的所述开通动态波形图同在所述正向驱动状态下逐渐下降的波形曲线的起点,或,所述第一波形转折点为所述待测电压的所述关断动态波形图同在所述反向驱动状态下逐渐上升的波形曲线的终点。

5.根据权利要求3所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述第二波形转折点为所述待测电流的所述开通动态波形图同在所述正向驱动状态下逐渐上升的波形曲线的终点,或,所述第二波形转折点为所述待测电流的所述关断动态波形图同在所述反向驱动状态下逐渐下降的波形曲线的起点。

6.根据权利要求1所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述待测功率半导体器件在同一驱动状态下的待测电压与待测电流在同一时刻存在波形转折为所述待测功率半导体器件的开关时序特性。

7.根据权利要求1所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述相对偏移位置为所述待测功率半导体器件在所述开关损耗测量过程中发生测量延时,使得所述第一波形转折点或所述第二波形转折点发生移动产生的当前波形位置。

8.根据权利要求1-7任一项所述的校准示波器通道的测量延时方法,其特征在于,所述待测功率半导体器件包括绝缘栅双极型晶体管或半导体场效应晶体管。

9.一种校准示波器通道的测量延时装置,其特征在于,包括:

第一获取模块,用于获取用于测量待测功率半导体器件开关特性的开关动态波形图;

第二获取模块,用于根据所述待测功率半导体器件在同一驱动状态下的待测电压与待测电流在同一时刻存在波形转折,分别获取所述待测电压发生所述波形转折的第一波形转折点和所述待测电流发生所述波形转折的第二波形转折点;

第三获取模块,用于根据所述开关动态波形图,获取所述第一波形转折点与所述第二波形转折点之间的相对偏移位置,并确定所述相对偏移位置对应的偏移时间;

计算模块,用于根据特征时间和所述偏移时间,计算二者之间的时间差值,所述时间差值为所述第一波形转折点与所述第二波形转折点之间的相对偏移时间;所述特征时间用于表征所述第一波形转折点或第二波形转折点所对应的时刻;

调整模块,用于根据所述时间差值,调整所述开关动态波形图使得所述第一波形转折点与所述第二波形转折点之间的所述相对偏移时间为零。

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