[发明专利]存储器件、生成参考电流的参考电路和方法有效
| 申请号： | 201910522259.5 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110619901B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李嘉富;林弘璋;李伯浩;林谷峰;史毅骏;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 生成 参考 电流 电路 方法 | ||
1.一种用于生成参考电流的参考电路，包括：
多个电阻元件，包括至少一个磁隧道结(MTJ)；
控制电路，包括并联连接的第一对晶体管和并联连接的第二对晶体管，连接至所述至少一个磁隧道结的第一端子并且被配置为选择性地使电流在正向方向和反向方向上流过所述至少一个磁隧道结以生成参考电流；
源极线，连接至所述控制电路；以及
位线，连接至所述至少一个磁隧道结的第二端子并且被配置为将所述参考电流提供给感测放大器，
其中，所述第一对晶体管和所述第二对晶体管串联连接在所述源极线和所述位线之间。
2.根据权利要求1所述的参考电路，其中，所述至少一个磁隧道结处于高电阻状态。
3.根据权利要求1所述的参考电路，其中，所述多个电阻元件包括连接至所述位线的电阻器。
4.根据权利要求3所述的参考电路，其中，所述至少一个磁隧道结包括第一磁隧道结和第二磁隧道结，并且其中，所述第一对晶体管包括并联连接的第一晶体管和第二晶体管；
所述第二对晶体管包括并联连接的第三晶体管和第四晶体管。
5.根据权利要求4所述的参考电路，还包括：第一开关，连接在所述源极线与所述第一对晶体管和所述第二对晶体管之间，以及第二开关，与所述电阻器并联连接至所述位线。
6.根据权利要求4所述的参考电路，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的每个都具有连接至第一字线的栅极端子，并且所述第四晶体管具有连接至第二字线的栅极端子。
7.根据权利要求1所述的参考电路，其中，所述多个电阻元件包括与所述控制电路和所述位线之间的所述至少一个磁隧道结并联连接的电阻器。
8.根据权利要求1所述的参考电路，其中，所述至少一个磁隧道结包括：
第一磁隧道结，所述第一磁隧道结的第一端子连接至所述位线，以及所述第一磁隧道结的第二端子连接至第一电压端子；
第二磁隧道结，所述第二磁隧道结的第一端子连接至所述第一磁隧道结的第一端子，以及所述第二磁隧道结的第二端子连接至所述第一磁隧道结的第二端子；
第三磁隧道结，所述第三磁隧道结的第一端子连接至所述第一磁隧道结的第二端子和所述第二磁隧道结的第二端子，以及所述第三磁隧道结的第二端子连接至所述控制电路；以及
第四磁隧道结，所述第四磁隧道结的第一端子连接至第二电压端子，以及所述第四磁隧道结的第二端子连接至所述第三磁隧道结的第二端子。
9.根据权利要求1所述的参考电路，其中，所述至少一个磁隧道结包括：
第一磁隧道结，大于连接至所述感测放大器的存储器阵列中的对应磁隧道结，其中，所述第一磁隧道结处于高电阻状态；以及
第二磁隧道结，大于连接至所述感测放大器的存储器阵列中的对应磁隧道结，其中，所述第二磁隧道结处于低电阻状态。
10.根据权利要求1所述的参考电路，还包括：注入电流源，连接至所述位线端子并且被配置为经由所述位线增加或减小来自所述参考电流电路的电流输出。
11.一种存储器件，包括：
存储器阵列，包括多个存储单元；
感测放大器，连接至所述存储器阵列；
参考位线，被配置为向所述感测放大器提供参考电流；
多个电阻元件，包括连接至所述参考位线的至少一个磁隧道结(MTJ)；
控制电路，连接在所述至少一个磁隧道结与参考源极线之间，所述控制电路包括并联连接的第一对晶体管和并联连接的第二对晶体管，
其中，所述第一对晶体管和所述第二对晶体管串联连接在所述至少一个磁隧道结和所述参考源极线之间。
12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述至少一个磁隧道结处于高电阻状态。
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