[发明专利]微型发光二极管芯片的键合方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，包括：

提供背板，所述背板包括多个芯片键合区，每个所述芯片键合区的电极上形成有两个焊料管，所述焊料管采用高熔点焊料制成；

在两个所述焊料管内填充低熔点焊料；

在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱采用高熔点焊料制成；

利用转移头拾取并移动所述芯片，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管对准；

加热所述背板，使所述低熔点焊料熔化；

下压所述转移头，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱伸入所述焊料管中，并至少部分浸入熔化的所述低熔点焊料内；

使所述低熔点焊料冷却凝固，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管焊接在一起；

移走所述转移头；

二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管，以及二次焊接相连接的所述负极焊料柱与所述焊料管；

所述焊料管的内径大于或等于所述正极焊料柱和所述负极焊料柱的直径。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，所述焊料管的长度大于所述正极焊料柱的长度，所述焊料管的长度大于所述负极焊料柱的长度。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，在所述芯片键合区的电极上形成两个焊料管采用如下方法形成：

通过金属热蒸镀工艺在所述芯片键合区的电极上形成两个所述焊料管。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，所述焊料管的材料为铟或锡。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，在两个所述焊料管内填充低熔点焊料包括：

在所述焊料管内热蒸镀低熔点焊料。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，所述低熔点焊料为铟锡合金、铋锡合金或铟铋合金。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱包括：

通过金属热蒸镀工艺在所述正极上形成所述正极焊料柱；通过金属热蒸镀工艺在所述负极上形成所述负极焊料柱。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，所述正极焊料柱为铟焊料柱或锡焊料柱，所述负极焊料柱为铟焊料柱或锡焊料柱。

9.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管、所述负极焊料柱与所述焊料管包括：

利用回流焊使所述正极焊料柱与所述焊料管、所述负极焊料柱与所述焊料管二次焊接。