[发明专利]一种单原子材料、及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201910517151.7 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN110252347B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 刘碧录;罗雨婷 申请(专利权)人: 清华-伯克利深圳学院筹备办公室
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J27/047;B01J23/28;B01J23/30;B01J23/18;B01J23/08;B01J23/42;B01J37/34;C25B1/04;C25B11/081;C25B11/075;C25B11/089;C25B11/091
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 原子 材料 及其 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种单原子材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

采用等离子体处理前驱物,得到单原子材料,所述单原子材料中的元素包含金属元素,所述前驱物包括金属氧化物、金属硫族化合物、金属磷化物、金属卤化物和金属碳化物中的任意一种或至少两种的组合,所述前驱物中的金属元素包括钼、钨、铂、铟、铁、铌、金、钴、镍、锰、铬和铋中的任意一种或至少两种的组合,所述前驱物的形貌包括块体材料、粉末材料、薄膜材料和介孔材料中的任意一种或至少两种的组合,制备得到的单原子材料为负载在前驱物上的单原子材料。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理前驱物的过程中,反应腔室的真空度为10-9mbar~102mbar。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理前驱物的过程中,反应腔室的真空度为10-2~102mbar。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理前驱物的过程中,反应温度为-100℃~1500℃。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述前驱物中的金属元素包括钼和/或钨,所述反应温度≤200℃。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述前驱物中的金属元素包括铁和/或铋,所述反应温度≤150℃。

7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理前驱物的过程中,反应时间为2s~20h。

8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理前驱物的过程中,反应时间为5s~60min。

9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体处理前驱物的过程中,反应时间为40s~240s。

10.权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体的制备过程包括:激发气体,生成等离子体。

11.权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体的制备过程中,反应腔室的真空度为10-9mbar~102mbar。

12.权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体的制备过程中,反应腔室的真空度为10-2~102mbar。

13.权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体的制备过程中,采用的气体包括氢气、氩气、甲烷、氮气和氨气中的任意一种或至少两种的组合。

14.权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述等离子体的制备过程中,通入气体流速为5sccm~1000sccm。

15.权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述通入气体的时间为1min~60min。

16.权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述激发气体,生成等离子体的过程采用的交流电源频率为50Hz~100MHz。

17.权利要求16所述的制备方法,其特征在于,所述激发气体,生成等离子体的过程采用的交流电源频率为10kHz~200kHz。

18.权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述激发气体,生成等离子体的过程采用的直流放电电压为1V~1000V。

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