[发明专利]用于压电电阻器传感器的N型注入电屏蔽件

权利要求书

1.一种压阻压力传感器(100)，至少包括被设置在柔性结构(101)上的感测元件，所述感测元件包括至少一个压电电阻器(201)，所述压电电阻器(201)至少包括所述柔性结构(101)的、掺杂有第一类型的掺杂剂原子的第一掺杂区域(803)，

其中，所述柔性结构(101)还包括所述柔性结构(101)内的第二掺杂区域(807)，所述第二掺杂区域(807)至少部分地与所述第一掺杂区域(803)重叠，由此形成屏蔽件(8)用于屏蔽所述感测元件免受外部电场干扰，其中，所述第二掺杂区域(807)的掺杂剂原子具有与所述第一掺杂区域(803)的掺杂剂原子的类型相反的第二类型，以供在所述第一掺杂区域(803)与所述第二掺杂区域(807)之间的重叠区域处在所述柔性结构(101)内生成电荷耗尽层(3)，其中，从所述柔性结构(101)的表面测量的、所述屏蔽件(8)的深度小于所述至少一个压电电阻器(201)的掺杂区域的深度，并且其中，所述柔性结构(101)包括用于与所述压电电阻器互连的连接区域(4)，其特征在于所述屏蔽件(8)与所述柔性结构(101)的外缘电接触，并且其特征在于所述传感器在所述屏蔽件(8)与所述连接区域(4)之间包括间隙(6)。

2.根据权利要求1所述的传感器(100)，其中，所述第二掺杂区域(807)在所述柔性结构(101)的、在所述第一掺杂区域(803)之外的区域上方延伸，从而与所述柔性结构(101)的、在所述压电电阻器(201)的所述第一掺杂区域之外的至少部分重叠。

3.根据权利要求1或2所述的传感器(100)，其中，所述感测元件包括所述第一掺杂区域(803)，所述第一掺杂区域(803)包括掺杂有硼的硅，并且其中，所述屏蔽件(8)包括掺杂有磷的所述第二掺杂区域。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的传感器(100)，进一步包括保护层(5)，所述保护层(5)包括被设置在至少所述柔性结构(101)的顶部上的耐腐蚀材料。

5.一种制造压阻压力传感器的方法，包括：

提供(703)至少一个压电电阻器(201)，所述压电电阻器(201)在材料的薄片(1)的第一掺杂区域中包括第一类型的掺杂剂原子，

提供(705、725)屏蔽件(8)，所述屏蔽件(8)在所述薄片的至少部分地与所述第一掺杂区域重叠的第二掺杂区域(807)中包括与所述第一类型相反的第二类型的掺杂剂原子，由此在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间生成电荷耗尽层(3)，用于对干扰进行屏蔽，

在具有腔体(12)的衬底(11)上提供(708)薄片(1)，以使得所述薄片的至少所述第一掺杂区域与所述腔体重叠，由此获得柔性结构(101)作为所述压力传感器的感测元件,

其中提供所述屏蔽件包括提供(705、725)其中从所述柔性结构(101)的表面测量的、所述屏蔽件(8)的深度小于所述至少一个压电电阻器(201)的掺杂区域的深度的所述屏蔽件，

所述方法进一步包括在所述第一掺杂区域(803)的子区域中提供(704)连接区域(4),

其特征在于提供(705)所述屏蔽件包括：在所述屏蔽件(8)与所述连接区域(4)之间留出间隙(6)，并且进一步向所述屏蔽件提供与所述柔性结构(101)的外缘的电接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，提供所述压电电阻器包括注入并扩散(713)所述第一类型的掺杂剂原子，并且其中，提供(705)所述屏蔽件(8)包括注入并扩散(715)所述第二类型的掺杂剂原子。

7.根据权利要求5或6中任一项所述的方法，进一步包括：在所述柔性结构(101)周围提供(702、725)掺杂阱(9)，并且在所述阱(9)与所述屏蔽件(8)之间提供电接触(901)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，提供(725)所述屏蔽件包括：与提供(725)所述掺杂阱(9)同时地在所述薄片的第二掺杂区域(807)中提供所述第二类型的掺杂剂原子。