[发明专利]一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法

说明书

本发明公开了一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法，该二硒化锡为片层堆叠的花状结构，从该花状结构的微观图可以看出，每一个片层上都产生微小其他片层，使得形成的花状结构的比表面积较大；该纳米花结构的二硒化锡的制备方法过程简单，使用的原材料和溶剂无污染，通过原材料的选择，溶剂的选用，使得制备出的花状的二硒化锡的纯度高，尺寸均匀，形状一致。

【技术领域】

本发明属于无机化合物半导体纳米材料领域，具体涉及一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法。

【背景技术】

近年来，二硒化锡独特的层状结构引起了人们的广泛关注。其层状结构导致层间强烈的声子散射，从而具有较低的晶格热导率及各向异性的电子和光电性质，在热电材料、光电传感、储能材料等领域具有广阔的应用前景，可以应用于全息图的固相介质、热电制冷材料、红外光电仪器、薄膜电极和记忆切换开关等。至今，二硒化锡纳米材料的合成主要采用高温高压方法，合成过程复杂，多晶纳米材料的合成方法有物理气相沉积、溶胶—凝胶法等，大多数方法制备过程周期长，毒性大，相组成不纯。因此，研究和探索一种操作简单、成本低廉、易于推广的有效合成二硒化锡纳米结构的方法十分必要。

通过上述方法制备出的二硒化锡通常为片状或针状结构的二硒化锡，片状或针状结构的二硒化锡比表面积小，在传感器、催化剂等领域实际应用过程中限制了其作用的发挥。

【发明内容】

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种纳米花结构的二硒化锡及其制备方法；该方法制备工艺简单，操作过程安全，且无污染，制备出的二硒化锡纳米花结构是单相粉体，比表面积大，形状、大小均匀。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

所述纳米花结构的二硒化锡由多个片层螺旋堆叠组成，每一个片层由晶体螺旋堆叠生长形成；多个片层螺旋堆叠形成的二硒化锡的直径为1～2μm，每一个片层厚度为5～10nm。

本发明的进一步改进在于：

优选的，所述二硒化锡为单相粉体结构。

一种纳米花结构的二硒化锡的制备方法，包括以下步骤：

步骤1，将油胺加热后，在油胺中加入二氧化硒搅拌均匀，再加入氯化亚锡和正十二硫醇，搅拌均匀后得到混合溶液；

步骤2，步骤1得到的混合溶液在密闭环境下发生反应；

步骤3，反应结束后，离心收集沉淀产物，洗涤沉淀产物，将洗涤后的沉淀产物烘干后，得到纳米花结构的二硒化锡。

优选的，步骤1中，油胺的加热温度为65～75℃。

优选的，步骤1中，加入的氯化亚锡和二氧化硒的摩尔比为1:1。

优选的，步骤1中，加入的二氧化硒和正十二硫醇的比例为1mmol：(0.8～1.2)mL。

优选的，步骤1中，加入的二氧化硒和正十二硫醇的比例为1mmol：1mL。

优选的，步骤2中，反应温度为170～190℃，反应时间为24～48h。

优选的，步骤3中，洗涤沉淀产物的洗涤液为甲苯和乙醇的混合液。

优选的，步骤3中，洗涤后的沉淀产物烘干温度为50～60℃，烘干时间为4～6h。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明公开了一种纳米花结构的二硒化锡，该二硒化锡为片层堆叠的花状结构，从该花状结构的微观图可以看出，每一个片层上都产生有微小的其他片层，使得形成的花状结构的比表面积较大，当该二硒化锡应用到传感器领域时，吸附效率高，响应时间短；当该二硒化锡作为催化剂使用时，能够提高催化效率。