[发明专利]用于制造包括第一和第二微机电元件的系统的方法和系统

权利要求书

1.一种用于制造包括第一微机电元件(10)和第二微机电元件(20)的系统(1)的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

-在第一步骤中，提供具有所述第一微机电元件(10)和所述第二微机电元件(20)的基底(2)以及罩元件(3)，其中，在基底(2)上在所述第一微机电元件(10)的周围环境内的第一区域(11)中和/或在所述罩元件(3)上在第一对应区域(12)中布置吸气剂材料(4)，

-在第二步骤中，在第一步骤之后，将罩元件(3)借助晶片键合技术这样布置在基底(2)上，使得构成封闭的第一腔室(13)，所述第一腔室包括第一微机电元件(10)以及第一区域(11)和/或第一对应区域(12)，其中，还构成封闭的第二腔室(23)，所述第二腔室包括第二微机电元件(20)，

-在第三步骤中，在第二步骤之后，在第二腔室(23)中产生开口(30)，

-在第四步骤中，在第三步骤之后，在第一周围环境压力、特别是第一气体压力下，将开口(30)封闭。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一微机电元件(10)包括转速传感器，并且所述第二微机电元件(20)包括加速度传感器。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述晶片键合技术包括金属键合方法，优选铝-锗键合方法。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在第二步骤期间构造第一和第二腔室(13，23)时，存在第二周围环境压力、特别是第二气体压力。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一周围环境压力在50和1000毫巴之间，其中，所述第四步骤优选在限定的气体气氛中进行，所述气体气氛特别是具有氮气和/或至少一种惰性气体。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在第三步骤中借助沟槽方法或激光钻孔方法构造所述开口(30)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在第三步骤中在所述基底(2)中或在所述罩元件(3)中产生所述开口(30)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在第四步骤中借助激光封装(32)或借助层沉积方法封闭所述开口(30)。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在第一步骤中，附加地在所述基底(2)上在所述第二微机电元件(20)的周围环境内的第二区域(21)中和/或在所述罩元件(3)上在第二对应区域(22)中布置所述吸气剂材料(4)和/或另一吸气剂材料(5)，其中，在第二步骤中构造的第二腔室(23)附加地包括所述第二区域(21)和/或所述第二对应区域(22)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述罩元件(3)包括CMOS晶片元件(8)。

11.一种系统(1)，包括具有第一微机电元件(10)和第二微机电元件(20)的基底(2)并且还包括罩元件(3)，其中，所述基底(2)和所述罩元件(3)布置成使得第一微机电元件(10)布置在封闭的第一腔室(13)中，其中，第一腔室(13)具有吸气剂材料(4)，其中，第二微机电元件(20)布置在封闭的第二腔室(23)中，其特征在于，所述第二腔室(23)包括密封或封闭的开口(30)。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述开口(30)包括激光封装或沉积层作为封闭件(31)或密封件(31)。