[发明专利]使用热塑性衬底材料的弯曲图像传感器在审
| 申请号: | 201910514879.4 | 申请日: | 2019-06-14 | 
| 公开(公告)号: | CN110634895A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 | 
| 发明(设计)人: | 郑源伟;缪佳君;陈刚;钱胤;毛杜立;戴森·H·戴;林赛·格朗 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 | 
| 代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘媛媛 | 
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体材料 第一表面 聚合物层 晶片 光电二极管 图像传感器 衬底材料 第二表面 弯曲图像 载体晶片 接收光 热塑性 申请案 传感器 安置 | ||
本申请案涉及一种使用热塑性衬底材料的弯曲图像传感器。图像传感器包含多个光电二极管,其布置成阵列并安置在半导体材料中以通过所述半导体材料的第一表面接收光。所述半导体材料的至少部分是弯曲的。载体晶片附接到所述半导体材料的与所述第一表面相对的第二表面,且聚合物层附接到所述载体晶片,使得所述载体晶片安置在所述聚合物层与所述半导体材料之间。
技术领域
本发明大体上涉及图像传感器制造,且特定来说(但非排他性地),涉及弯曲图像传感器。
背景技术
图像传感器已变得无处不在。它们广泛应用于数字静态相机、蜂窝电话、安全摄像机,以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术持续以迅猛的速度进步。举例来说,对更高分辨率及更低功耗的需求已促进这些装置的进一步微型化及集成化。虽然像素设计的进步已经显著改进图像传感器性能,但是已证明难以单独通过优化像素电路来克服若干光学限制。
发明内容
一方面,本申请案提供一种图像传感器,其包括:多个光电二极管,其布置成阵列并安置在半导体材料中以通过所述半导体材料的第一表面接收光,其中所述半导体材料的至少部分是弯曲的;及载体晶片,其附接到所述半导体材料的与所述第一表面相对的第二表面;及聚合物层,其附接到所述载体晶片并横跨所述阵列的宽度,使得所述载体晶片安置在所述聚合物层与所述半导体材料之间。
另一方面,本申请案提供一种图像传感器制造方法,其包括:在半导体材料中形成多个光电二极管,以通过所述半导体材料的第一表面接收光;将所述半导体材料的与所述第一侧相对的第二侧附接到载体晶片;将所述载体晶片附接到聚合物层,使得所述载体晶片安置在所述半导体材料与所述聚合物层之间;及使所述半导体材料、所述载体晶片及所述聚合物层变形,使得所述半导体材料至少部分是弯曲的。
附图说明
参考以下诸图描述本发明的非限制性及非穷尽实例,其中相似参考数字贯穿各种视图指代相似部分,除非另有规定。
图1说明根据本发明的实例的弯曲图像传感器。
图2A到2B说明根据本发明的实例的制造并弯曲图1的图像传感器的方法的部分。
图3说明根据本发明的实例的制造并弯曲图1的图像传感器的方法的部分。
图4说明根据本发明的实例的可包含图1的图像传感器的成像系统。
图5说明根据本发明的实例的经由温度的衬底曲率的曲线图。
对应参考字符贯穿附图的若干视图指示对应组件。所属领域的技术人员应了解,图式中的元件出于简单及清楚的目的而说明,且未必是按比例绘制。举例来说,图式中一些元件的尺寸相对于其它元件可被夸大以帮助提高对本发明的各种实施例的理解。此外,为了促进对本发明的这些各种实施例的更容易的观察,通常不描绘在商业上可行的实施例中有用的或必需的常见但众所周知的元件。
具体实施方式
本文描述一种用于具有聚合物装配的弯曲图像传感器的设备及方法的实例。在以下描述中,阐述众多特定细节以提供对所述实例的透彻理解。然而,所属领域的技术人员将认识到,能够在不具有一或多个特定细节的情况下或配合其它方法、组件、材料等等实践本文所描述的技术。在其它情况下,未展示或详细地描述众所周知的结构、材料或操作以避免混淆某些方面。
贯穿本说明书的对“一个实例”或“一个实施例”的参考意指接合实例所描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此,贯穿本说明书的各种地方的短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”的出现未必皆是指同一实例。此外,特定特征、结构或特性可以任何合适方式组合于一或多个实例中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





