[发明专利]单层带通型频率选择结构的透射率上限预测方法及系统在审

专利信息
申请号: 201910514569.2 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN110247195A 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 黄敏杰;刘虎;武哲 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;G06F17/50;G06F17/16
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 程华
地址: 100089*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 频率选择结构 带通 单层 透射率 平面周期结构 设计和优化 方式设计 介质加载 散射问题 上限计算 设计优化 系统预测 电性能 可用 求解 推导 预测 估算 继承
【权利要求书】:

1.一种单层带通型频率选择结构的透射率上限预测方法,其特征在于,所述方法包括:

获取单层带通型频率选择结构的入射平面电磁波照射参数;所述入射平面电磁波照射参数包括入射频率f和入射方向矢量

根据所述入射平面电磁波照射参数确定所述单层带通型频率选择结构中的波矢法向分量和模导纳;

根据所述波矢法向分量和所述模导纳确定所述单层带通型频率选择结构的透射率上限。

2.根据权利要求1所述的透射率上限预测方法,其特征在于,所述根据所述入射平面电磁波照射参数确定所述单层带通型频率选择结构中的波矢法向分量和模导纳,具体包括:

根据所述入射频率f,采用公式ω=2πf确定入射电磁波角频率ω;

将所述单层带通型频率选择结构的厚度方向作为z轴建立坐标系,根据所述入射方向矢量及所述入射电磁波角频率ω,采用公式确定入射电磁波真空波矢量其中ε为真空介电常数,μ为真空磁导率;

根据所述入射频率f,采用公式确定所述单层带通型频率选择结构中第i层介质中的电磁波传播常数k(i);其中ε(i)为所述单层带通型频率选择结构中第i层介质的介电常数;μ(i)为所述单层带通型频率选择结构中第i层介质的磁导率;

根据所述入射电磁波真空波矢量采用公式确定真空中波矢切向分量表示z轴的方向矢量;

根据所述第i层介质中的电磁波传播常数k(i)及所述真空中波矢切向分量确定所述单层带通型频率选择结构中的波矢法向分量;

根据所述波矢法向分量确定所述单层带通型频率选择结构中的模导纳。

3.根据权利要求2所述的透射率上限预测方法,其特征在于,所述根据所述第i层介质中的电磁波传播常数k(i)及所述真空中波矢切向分量确定所述单层带通型频率选择结构中的波矢法向分量,具体包括:

根据所述第i层介质中的电磁波传播常数k(i)及所述真空中波矢切向分量采用公式和Im(γ(i))≤0确定所述单层带通型频率选择结构中第i层介质中的波矢法向分量γ(i);其中kt是所述真空中波矢切向分量的模;Im(·)表示取复数的虚部。

4.根据权利要求3所述的透射率上限预测方法,其特征在于,所述根据所述波矢法向分量确定所述单层带通型频率选择结构中的模导纳,具体包括:

根据所述单层带通型频率选择结构中第i层介质中的波矢法向分量γ(i),采用公式确定所述单层带通型频率选择结构中第i层介质中的模导纳其中r表示极化状态;TE极化表示横电场极化;TM极化表示横磁场极化。

5.根据权利要求4所述的透射率上限预测方法,其特征在于,所述根据所述波矢法向分量和所述模导纳确定所述单层带通型频率选择结构的透射率上限,具体包括:

根据所述单层带通型频率选择结构中第n层介质中的波矢法向分量γ(n)和第n层介质中的模导纳确定传输矩阵;所述传输矩阵包括第一传输矩阵、第二传输矩阵和第三传输矩阵;

根据所述传输矩阵确定过程矩阵和过程变量;所述过程矩阵包括第一过程矩阵和第二过程矩阵;所述过程变量包括第一过程变量和第二过程变量;

根据所述过程矩阵和所述过程变量确定所述单层带通型频率选择结构的透射率上限。

6.一种单层带通型频率选择结构的透射率上限预测系统,其特征在于,所述系统包括:

参数获取模块,用于获取单层带通型频率选择结构的入射平面电磁波照射参数;所述入射平面电磁波照射参数包括入射频率f和入射方向矢量

波矢法向分量和模导纳确定模块,用于根据所述入射平面电磁波照射参数确定所述单层带通型频率选择结构中的波矢法向分量和模导纳;

透射率上限预测模块,用于根据所述波矢法向分量和所述模导纳确定所述单层带通型频率选择结构的透射率上限。

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