[发明专利]一种CdSe/CdS核冠结构纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910511724.5 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110144220B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫;王恺;温佐良;张超键 | 申请（专利权）人： | 深圳扑浪创新科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdse cds 结构 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种CdSe/CdS核冠结构纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将硫化三正辛基膦与含有有机配体以及三正辛基膦的混合溶液混合，再加入镉源混合，得到CdS前驱液；
(2)将CdSe核心与有机配体以及表面活性剂混合得到混合液，向所述混合液中注入步骤(1)得到的所述CdS前驱液，在保护气氛下反应后分离产品得到所述CdSe/CdS核冠结构纳米片；
步骤(1)所述硫化三正辛基膦与含有三正辛基膦和有机配体的混合溶液的体积比为0.1:1，步骤(1)所述有机配体和三正辛基膦的体积比为1:1，步骤(1)所述镉源与硫化三正辛基膦的质量比为0.5～1.5:1。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述镉源与硫化三正辛基膦的质量比为1:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述CdSe核心为CdSe核心的正己烷溶液。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述CdSe核心的正己烷溶液的浓度为3～5mg/mL。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述CdSe核心在512nm处的吸收为0.4～0.6。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CdSe核心的制备方法包括：
将第一镉源、硒粉以及有机配体混合，在保护气氛下升温至190～200℃加入第二镉源，继续升温至235～245℃反应，反应结束后加入表面活性剂，分离产品得到所述CdSe核心。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述硒粉的目数为100～300目。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述硒粉的目数为200目。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，第一镉源与硒源的质量比为10～50:1。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述硒粉的目数为第一镉源与硒源的质量比为15:1。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一镉源与有机配体的质量比为5～30:1。
12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一镉源与第二镉源的质量比为2～8:1。
13.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述反应时间为5～15min。
14.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一镉源与表面活性剂的质量比为15～100:1。
15.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述CdSe核心的正己烷溶液与所述有机配体的体积比为1:6～40。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述CdSe核心的正己烷溶液与表面活性剂的体积比为2～15:1。
17.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述注入CdS前驱液的温度为190～210℃。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述CdSe核心的正己烷溶液与所述CdS前驱液的体积比为1:1～8。
19.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述反应温度为235～250℃。
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