[发明专利]显示基板及其制备方法和显示装置有效
| 申请号: | 201910511562.5 | 申请日: | 2019-06-13 | 
| 公开(公告)号: | CN110212003B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 | 
| 发明(设计)人: | 赵德江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 | 
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的:像素界定层、第一疏液层和第二疏液层;
所述第二疏液层的疏液性高于所述第一疏液层和所述像素界定层的疏液性;
所述像素界定层上设置有多个像素开口,所述第一疏液层上设置有与所述像素开口一一对应连通的第一开口,所述第二疏液层上设置有与所述第一开口一一对应连通的第二开口;所述第一疏液层的一部分被所述第二开口露出;
所述第二开口的开口面积随所述第二开口到所述显示基板中心的距离的增大而减小。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板的正投影内。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一开口在所述衬底基板上的正投影的边缘与所述第二开口在所述衬底基板的正投影的边缘无接触。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口在所述衬底基板的正投影不超出所述第一开口在所述衬底基板上的正投影。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口呈阵列排布。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口的横截面积沿逐渐靠近衬底基板的方向逐渐减小。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的显示基板,其特征在于,用于形成有机发光层的液体在所述第二疏液层上的接触角大于80°,所述液体在所述第一疏液层上的接触角在40°~60°之间,所述液体在所述像素界定层上的接触角在50°~70°之间。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素界定层的厚度在1.5μm~2μm之间,所述第一疏液层以及所述第二疏液层的厚度均在0.2μm~0.5μm之间。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至8中任一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成像素界定层,所述像素界定层上形成有多个像素开口;
在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧形成第一疏液层,所述第一疏液层上形成有与所述像素开口一一对应连通的第一开口;
在所述第一疏液层背离所述衬底基板的一侧形成第二疏液层,所述第二疏液层上形成有与所述第一开口一一对应连通的第二开口;
其中,所述第二疏液层的疏液性高于所述第一疏液层和所述像素界定层的疏液性;所述第一疏液层的一部分被所述第二开口露出;
所述第二开口的开口面积随所述第二开口到所述显示基板中心的距离的增大而减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





