[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包含发光元件、以及与该发光元件的发光面接合的透光性部件，

其中，

所述发光元件与所述透光性部件经由接合区域接合，所述接合区域由所述发光元件的一部分以及所述透光性部件的一部分构成，且包含从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素，

在所述发光元件以及所述透光性部件中的至少一方，所述稀有气体元素的分布在远离所述发光面的位置具有峰值。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

在所述接合区域，在发光元件侧以及透光性部件侧分别包含变形层。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，

所述发光元件包含基板和层叠于所述基板上的半导体层叠部，所述发光元件侧的接合区域由所述基板的一部分构成。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

所述基板由蓝宝石构成。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的发光装置，其中，

所述透光性部件具有荧光体。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的发光装置，其中，

所述透光性部件是YAG陶瓷。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的发光装置，其中，

所述稀有气体元素是Ar。

8.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包含：

发光元件准备工序，准备发光元件；

透光性部件准备工序，准备透光性部件；以及

接合工序，通过表面活性化接合法，将所述发光元件与所述透光性部件接合，

所述接合工序包含：

第一表面活性化工序，通过照射从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素的离子束，来使所述发光元件的供所述透光性部件接合的第一接合面的表面活性化；

第二表面活性化工序，通过照射从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素的离子束，来使所述透光性部件的供所述发光元件接合的第二接合面的表面活性化；以及

接触工序，通过使表面被活性化了的所述第一接合面与表面被活性化了的所述第二接合面接触，来将所述发光元件与所述透光性部件接合，

在所述第一表面活性化工序以及所述第二表面活性化工序中的至少一个工序中，针对所述第一接合面的表面或者所述第二接合面的表面按照规定的角度以使比该表面附近深的位置的稀有气体元素的分布密度变高的方式照射所述稀有气体元素的离子束。

9.根据权利要求8所示的发光装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一表面活性化工序中，针对所述第一接合面的表面按照规定的角度照射所述稀有气体元素的离子束，且以使比该表面附近深的位置的稀有气体元素的分布密度变高的方式进行照射。

10.根据权利要求8或9所述的发光装置的制造方法，其中，

所述发光元件包含基板和层叠于所述基板上的半导体层叠部，所述第一接合面是所述基板的表面。

11.根据权利要求10所述的发光装置的制造方法，其中，

所述基板由蓝宝石构成。

12.根据权利要求8～11中的任一项所述的发光装置的制造方法，其中，

所述稀有气体元素是Ar。

13.根据权利要求8～12中的任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一表面活性化工序以及所述第二表面活性化工序中的至少一个工序中，针对所述第一接合面的表面或者所述第二接合面的表面按照所述规定的角度边扫描边照射所述稀有气体元素的离子束。