[发明专利]一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路

权利要求书

1.一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，包括偏置电路和放大电路；

其中，所述放大电路包括匹配电路、隔直电容C1、射频功率管QRF、电感L1；匹配电路连接于射频输入端与隔直电容C1之间，隔直电容C1的另一端与射频功率管QRF的基极连接；而电感L1连接于射频功率管QRF的集电极与Vcc端之间，射频输出端分别与射频功率管QRF和电感L1连接；

所述偏置电路包括温度补偿模块、线性化电容C2、以二极管方式连接的晶体管Q3；线性化电容C2一端接地，另一端分别与温度补偿模块和晶体管Q3连接；晶体管Q3的一端与隔直电容C1和射频功率管QRF之间的电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，所述温度补偿模块包括三极管Q1、三极管Q2以及电阻R1、R3、R4；

其中，所述三极管Q2的集电极与电阻R4的一端连接，其基极分别与电阻R1和R3的一端连接，其发射极和R1的另一端均接地；

而所述电阻R3的另一端和电阻R4的另一端均与Vref端连接；

所述三极管Q1与电阻R1并联；

所述线性化电容C2的一端接于三极管Q2的集电极到电阻R4的通路上。

3.根据权利要求2所述的一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，所述电阻R1与三极管Q2基极连接的一端，与三极管Q1的集电极连接；电阻R1的另一端与三极管Q1的发射极连接；所述三极管Q1的集电极和基极短接，形成二极管结构。

4.根据权利要求2所述的一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，所述温度补偿模块还包括有电阻R2，该电阻R2接于三极管Q2的发射极到地的通路上。

5.根据权利要求3所述的一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，所述三极管Q1和三极管Q2为同种类型的器件，两者的各项参数均等。

6.根据权利要求1所述的一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，所述晶体管Q3的基极与线性化电容C2连接，其发射极与隔直电容C1和射频功率管QRF之间的电路连接，其集电极与其基极短接。

7.根据权利要求1所述的一种具有高温漂抑制能力的自适应偏置电路，其特征在于，所述匹配电路为L型匹配结构，由电容C2和电感L2组成；其中，所述电容C2和隔直电容C1串联，所述电感L2与隔直电容C1并联。