[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号: | 201910506514.7 | 申请日: | 2019-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN110289323B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
| 发明(设计)人: | 张文进;赵云;张为苍;眭斌;李源;杨亮 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 廖苑滨;刘春风 |
| 地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于:包括依次层叠于透明衬底上的第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层,所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层之间构成第一电池结构,所述反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层之间构成第二电池结构;
该太阳能电池为半透型,具有透光区域和非透光区域,应用于显示设备,所述透光区域与所述显示设备的显示区域相对应,所述非透光区域与所述显示设备的边框区域相对应;
所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层同时覆盖于所述透光区域和非透光区域上,其中,所述第一光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第一光吸收线,所述反射电极层在所述透光区域内包括至少一条反射电极线,所述第二光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第二光吸收线;所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起形成至少一栅格线。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:所述第一透明电极层作为所述第一电池结构的前电极层,所述第二透明电极层作为所述第二电池结构的前电极层,所述反射电极层作为所述第一电池结构和第二电池结构的公共背电极层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:所述第一透明电极层整面覆盖于所述透光区域内,或者,所述第一透明电极层在所述透光区域内包括至少一第一透明电极线,所述第一透明电极线与所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起构成所述栅格线的一部分。
4.根据权利要求1或3所述的太阳能电池,其特征在于:所述第二透明电极层在所述透光区域内包括至少一第二透明电极线,所述第二透明电极线与所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起构成所述栅格线的一部分。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:所述透光区域在除所述栅格线外的空白区域内填充有透明绝缘材料。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于:所述第二透明电极层整面覆盖于所述透光区域内,或者,所述第二透明电极层在所述透光区域内包括至少一第二透明电极线,所述第二透明电极线与所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起构成所述栅格线的一部分。
7.权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
在透明衬底上依次形成第一透明电极膜和第一光吸收膜,然后依次对所述第一光吸收膜和第一透明电极膜进行刻蚀成像,依次形成第一光吸收层和第一透明电极层;
形成反射电极膜,然后对所述反射电极膜进行刻蚀成像,形成反射电极层;
依次形成第二光吸收膜和第二透明电极膜,然后依次对所述第二透明电极膜和第二光吸收膜进行刻蚀成像,依次形成第二透明电极层和第二光吸收层。
8.一种太阳能电池,其特征在于:包括依次层叠于透明衬底上的第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层,所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层之间构成第一电池结构,所述反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层之间构成第二电池结构;
该太阳能电池为半透型,具有透光区域和非透光区域,应用于光电感测设备,所述透光区域与所述光电感测设备的发射接收区域相对应,所述非透光区域与所述光电感测设备的边框区域相对应;
所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层同时覆盖于所述透光区域和非透光区域上,其中,所述第一光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第一光吸收线,所述反射电极层在所述透光区域内包括至少一条反射电极线,所述第二光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第二光吸收线;所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起形成至少一栅格线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





