[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201910504816.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN112086563B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 胡忠宇;曹蔚然;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层,其特征在于,所述电子传输层与所述量子点发光层之间设置含有聚烯烃的材料层,所述聚烯烃由烯烃聚合而成,所述聚烯烃相互交联形成网状结构。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述材料层由相互交联的聚烯烃组成。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述聚烯烃选自聚乙烯和聚丙烯中的至少一种。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述聚烯烃相互交联形成的网状结构中分散有所述量子点发光层中的量子点颗粒。
5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述阴极与所述电子传输层之间设置有电子注入层。
6.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层。
7.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
所述量子点发光二极管为正置型器件时,
提供阳极基板;
在所述阳极基板上制备量子点发光层,然后在所述量子点发光层表面制备含有聚烯烃的材料层;或者,
所述量子点发光二极管为反置型器件时,
提供阴极基板;
在所述阴极基板上制备含有聚烯烃的材料层,然后在所述材料层的表面制备量子点发光层;
其中,所述聚烯烃相互交联形成网状结构。
8.如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述阴极基板上制备材料层的步骤包括:
配制含有所述聚烯烃和光引发剂的混合溶液,将所述混合溶液沉积在所述阴极基板上,然后进行紫外光照射处理。
9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中的聚烯烃浓度为5-10mg/ml。
10.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中的引发剂质量分数为1.5-3%。
11.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中的聚烯烃选自聚乙烯和聚丙烯中的至少一种。
12.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中的引发剂选自二苯甲酮、过氧化二异丙苯、二甲基二苯基丁烷、蒽醌、安息香和苯乙酮衍生物中的至少一种。
13.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述紫外光照射处理中的紫外光波长为190-300nm,所述紫外光照射处理的时间为1-2min。
14.如权利要求8-13任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,在进行所述紫外光照射处理之后,还包括加热处理的步骤。
15.如权利要求14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述加热处理的温度为60-100℃,所述加热处理的时间为5-15min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择