[发明专利]电压生成电路、半导体存储装置、以及电压生成方法在审
| 申请号: | 201910504534.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN110600063A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
| 发明(设计)人: | 赤堀旭 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张晓霞;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川县横滨市港北区新*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 振荡信号 电压状态 开关元件 控制电压 输出节点 电压生成电路 接通状态 半导体存储装置 电容器 接收控制电压 开关控制部 电力消耗 电压生成 电压施加 断开状态 一端接收 一端连接 抑制电路 增大的 重复 | ||
本发明的目的在于提供一种能够抑制电路规模及电力消耗的增大的电压生成电路、半导体存储装置、以及电压生成方法。且所述电压生成电路包括:振荡信号生成部,生成交替地重复第一电压状态与第二电压状态的振荡信号;电容器,在一端接收振荡信号,在另一端连接有输出节点;开关元件,接收控制电压并根据所述控制电压而设定成接通状态或断开状态,当设定成接通状态时将第一电压施加至输出节点;以及开关控制部,在振荡信号处于第一电压状态的情况下,将第二电压作为控制电压而供给至开关元件,在振荡信号处于第二电压状态的情况下,将输出节点的电压作为控制电压而供给至开关元件。
技术领域
本发明涉及一种生成具有所期望的电压值的电压的电压生成电路、包含电压生成电路的半导体存储装置、以及电压生成方法。
背景技术
在半导体存储装置中设置有生成施加至存储器单元的各种正极性及负极性的电压的电压生成电路,以进行数据的读出、写入或擦除。
另外,作为此种电压生成电路,已知有一种不仅可生成比电源电压高的正极性的电压,也可生成负极性的电压的电荷泵电路(例如,参照日本专利特开平11-299227号公报(专利文献1)的图1及图5)。
此种电荷泵电路中,首先,经由作为开关构件的金属氧化物半导体(Metal OxideSemiconductor,MOS)型的晶体管而将接地电压(0伏特(volt))施加至电容器的一端。进而,此期间中,通过对所述电容器的另一端施加5伏特的电源电压来对电容器进行充电。继而,将所述晶体管切换成关断状态,并且将已施加至电容器的另一端的电源电压切换成接地电压,由此在此电容器的一端生成-5伏特的电压作为负极性的电压。
但是,由于所述晶体管的源极连接于电容器的一端,所以成为对所述晶体管的源极施加-5伏特的电压。因而,为了将此晶体管设定成关断状态,需要对其栅极施加-5伏特以下的控制电压。
因此,在所述电荷泵电路中,设置有将供给至所述晶体管的栅极的控制电压从接地电压(0伏特)转换成-5伏特的电平转换电路,以将所述晶体管设定成关断状态。
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,在采用电荷泵电路作为电压生成电路的情况下,为了对负担电荷泵动作的晶体管确实地进行导通·关断控制而需要电平转换电路,从而导致电路规模及电力消耗的增加。
本发明的目的在于提供一种能够抑制电路规模及电力消耗的增大的电压生成电路、半导体存储装置、以及电压生成方法。
[解决问题的技术手段]
本发明的电压生成电路是一种在输出节点生成直流电压的电压生成电路,其包括:振荡信号生成部,生成交替地重复第一电压状态与第二电压状态的振荡信号;电容器,在一端接收所述振荡信号,在另一端连接有所述输出节点;开关元件,接收控制电压并根据此控制电压而设定成接通状态或断开状态,当设定成接通状态时,将所述第一电压施加至所述输出节点;以及开关控制部,在所述振荡信号处于所述第一电压状态的情况下,将所述第二电压作为所述控制电压而供给至所述开关元件,由此将所述开关元件设定成断开状态,在所述振荡信号处于所述第二电压状态的情况下,将所述输出节点的电压作为所述控制电压而供给至所述开关元件,由此将所述开关元件设定成接通状态。
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