[发明专利]一种导电膜及其制作方法在审
申请号: | 201910501371.0 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN110186366A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 林新华;何晓业;曹妍;王巍;邵叔芳;王英先;张海艇 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学;中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;顾炜 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电膜 贯穿孔 导电材料 环形导电膜 绝缘基板 环结构 填充 制作 电容位移传感器 薄膜沉积工艺 绝缘基板表面 填充导电材料 电场均匀性 表面打磨 打磨抛光 绝缘材料 丝网印刷 同心的 抛光 灌装 基板 绝缘 连通 制备 | ||
1.一种导电膜,其特征在于,导电膜具有标准开尔芬保护环结构,由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成;所述标准开尔芬保护环结构的导电膜(2)由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜(201)和表面完整的环形导电膜(202)组成;所述表面完整的圆形导电膜(201)与一个填充有导电材料(4)的贯穿孔(301)相连;所述表面完整的环形导电膜(202)与另一个填充有导电材料(4)的贯穿孔(302)相连。
2.一种导电膜的制作方法,其特征在于,在绝缘基板(1)上具有标准开尔芬保护环结构的导电膜(2)的制备工艺如下:
步骤(a)以带有两个贯穿孔(3)的绝缘材料为绝缘基板(1),采用灌装工艺向贯穿孔(3)中填充导电材料(4);
步骤(b)对贯穿孔(3)中填充了导电材料(4)的绝缘基板的一个表面(5)进行打磨抛光;
步骤(c)采用丝网印刷或薄膜沉积工艺,在贯穿孔(3)中填充了导电材料(4)的绝缘基板的打磨抛光的一表面(5)上制作标准开尔芬保护环结构的导电膜(2)。
3.根据权利要求2所述的一种导电膜的制作方法,其特征在于:步骤(a)中所述向绝缘基板(1)的贯穿孔(3)中填充导电材料(4)的灌装工艺步骤如下:
(a1)先将导电浆料(401)灌入贯穿孔(3);
(a2)在温度为50~200℃条件下,将灌入贯穿孔(3)的导电浆料(401)的烘干;
(a3)在温度为100~850℃条件下,将烘干之后的导电浆料(401)进行烧结处理,得到导电材料(4);
(a4)反复进行步骤(a1)、(a2)和(a3),直至绝缘基板(1)的贯穿孔(3)中完全被导电材料(4)填充。
4.根据权利要求2所述的一种导电膜的制作方法,其特征在于:所述绝缘基板(1)材质为氧化铝、氧化锆、氮化硅或他们复合物种中的任意一种或玻璃或石英或带有氧化硅层的硅。
5.根据权利要求2所述的一种导电膜的制作方法,其特征在于:所述导电浆料(401)的导电组分为金、银、铂、钯、钨、铜、镍或碳粉及他们复合物种中的任意一种。
6.根据权利要求2所述的一种导电膜的制作方法,其特征在于:步骤(c)中所述丝网印刷工艺具体如下:
(c1)以具有标准开尔芬保护环结构图形的丝网为掩模网版,将导电浆料(401)转移到贯穿孔(3)中填充有导电材料(4)的绝缘基板(1)的抛光表面上;
(c2)在温度为50~200℃条件下,将绝缘基板(1)的抛光表面上的导电浆料(401)的烘干;
(c3)在温度为100~850℃条件下,将烘干之后的导电浆料(401)进行烧结处理,在绝缘基板(1)的抛光表面上的得到具有标准开尔芬结构的导电膜(2)。
7.根据权利要求2所述的一种导电膜的制作方法,其特征在于:所述薄膜沉积工艺为离子镀膜、或溅射镀膜、或蒸发镀膜。
8.根据权利要求2所述的一种导电膜的制作方法,其特征在于:采用薄膜沉积工艺时,所述导电膜(2)组分为导电金属,或碳、或其组合。
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