[发明专利]气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法

权利要求书

1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体包括贯穿所述腔体外壁和内壁的第一连接端和第二连接端以及贯穿所述腔体外壁的第三连接端，所述第三连接端暴露出所述腔体内壁；

设置于所述腔体内部，且覆盖所述第一连接端和第二连接端的脉冲电磁阀；

通过所述第二连接端与所述脉冲电磁阀连接的气箱，所述气箱中用于存储预设气体；

通过所述第一连接端与所述脉冲电磁阀连接的信号发生模块，所述信号发生模块用于向所述脉冲电磁阀提供不同频率的电平脉冲信号；所述脉冲电磁阀用于根据所述电平脉冲信号，控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；

通过所述第三连接端与所述腔体内壁连接的射频发生模块，所述射频发生模块用于提供不同功率的射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体的不同部位进行清洁。

2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述射频脉冲信号为正弦波射频脉冲信号。

3.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述信号发生模块包括：PLC控制电路和信号发生器；其中，

所述信号发生器的信号输入端与所述PLC控制电路的信号输出端连接，所述信号发生器的信号输出端与所述脉冲电磁阀连接，所述信号发生器用于产生电平脉冲信号；

所述PLC控制电路，用于控制所述信号发生器产生的电平脉冲信号的频率。

4.一种气相沉积设备的控制方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备的控制方法包括：

控制所述气相沉积设备进行抽真空操作；

在抽真空操作完成后，控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作，以去除所述腔体侧壁和上壁的待清洁产物；所述第一状态包括：所述腔体的压强为第一预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第一预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第一预设功率；

在第一次腔体清洁操作完成后，控制所述气相沉积设备在第二状态下进行第二次腔体清洁操作，以去除所述腔体底部内壁和载盘表面的待清洁产物；所述第二状态包括：所述腔体的压强为第二预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第二预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第二预设功率；所述第二预设压强大于所述第一预设压强，所述第二预设频率大于所述第一预设频率，所述第二预设功率大于所述第一预设功率；

在腔体清洁操作完成后，排出所述腔体内部的气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述腔体清洁操作包括：

控制所述信号发生模块产生电平脉冲信号，以使所述脉冲电磁阀根据所述电平脉冲信号控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；

控制所述射频发生模块提供射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述待清洁产物为二氧化硅或氮化硅或氮氧化物时；

所述预设气体为四氟甲烷或三氟甲烷或二氟甲烷或六氟化硫或氧气；

所述第一预设功率的取值范围为100-500W，所述第一预设频率的取值范围为10kHz-60kHz，所述第一预设压强的取值范围为100-500Pa；

所述第二预设功率的取值范围为500-1500W，所述第二预设频率的取值范围为60kHz-120kHz，所述第二预设压强的取值范围为1000-2000Pa。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述气相沉积设备进行抽真空操作之后，所述控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作之前还包括：

向所述腔体内预通入惰性气体，以对所述腔体进行吹扫操作。