[发明专利]用多阶段核化抑制填充特征

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口和特征内部；并且

执行多阶段抑制处理，所述多阶段抑制处理包括在多阶段和多个间隔中使所述特征暴露于处理气体，连续的阶段被所述多个间隔中的一个隔开，其中处理气体流速在每个间隔开始时降低并在所述间隔结束时增大，并且其中所述抑制处理优先抑制在所述特征开口处的金属的核化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中降低所述处理气体包括关闭所述处理气体流。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多阶段抑制处理是非等离子体抑制处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理气体包括含氮化合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理气体是N₂。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述多阶段抑制处理之前将钨层沉积在所述特征中。

7.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在所述多阶段抑制处理之后，根据由所述多阶段抑制处理形成的抑制轮廓选择性地将钨沉积在所述特征中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多阶段抑制处理包括处理所述特征的金属氮化物表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多阶段抑制处理是在不蚀刻所述特征中的材料的情况下进行。

10.一种装置，其包括：

一或多个站，每个站配置为支撑衬底；

气体入口，其被配置成将气体引导到所述一或多个站中的每个站中；和

控制器，所述控制器包括用于以下的程序指令：

在多阶段和多个间隔中将含氮气体引入所述一或多个站，连续的阶段被所述多个间隔中的一个隔开，其中处理气体流速在每个间隔开始时降低并在所述间隔结束时增大。