[发明专利]掩膜版的设计方法、制作方法和设计系统有效
申请号: | 201910498038.9 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110188502B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 段芳芳;梁少端;杨晓宇;嵇凤丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 设计 方法 制作方法 系统 | ||
1.一种掩膜版的设计方法,其特征在于,包括:
对蒸镀过程进行模拟仿真,所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层,所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体,所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条,交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口;
所述蒸镀过程结束后,提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据,所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向;
根据所述位置偏差数据,对所述掩膜版进行位置偏移补偿,得到补偿后的掩膜版的设计数据;
所述根据所述位置偏差数据,对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括:
对每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向上的位置偏差数据进行拟合,得到每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向的拟合变形曲线;
根据所述拟合变形曲线,对所述掩膜版进行位置偏移补偿;
所述根据所述拟合变形曲线,对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括:
根据所述拟合变形曲线,确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差;
根据所述每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差,对所述多个开口进行分区;
对处于同一分区的每一所述开口采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值。
2.如权利要求1所述的掩膜版的设计方法,其特征在于,所述根据所述拟合变形曲线,对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括:
根据所述拟合变形曲线,对所述掩膜版的每一所述掩膜条进行位置偏移补偿。
3.如权利要求1所述的掩膜版的设计方法,其特征在于,还包括:
根据所述拟合变形曲线,确定每一所述开口的变形偏差数据;
根据所述变形偏差数据,确定每一所述开口的变形偏差补偿值。
4.如权利要求3所述的掩膜版的设计方法,其特征在于,所述根据所述变形偏差数据,确定每一所述开口的变形偏差补偿值包括:
根据每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差和变形偏差数据,对所述开口进行分区;
对处于同一分区的每一所述开口,采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值,采用相同的变形补偿方法确定变形偏差补偿值。
5.一种掩膜版的制作方法,其特征在于,包括:
获取如权利要求1-4任一项所述的掩膜版的设计方法得到的补偿后的掩膜版的设计数据;
根据所述设计数据,制作掩膜版。
6.一种掩膜版的设计系统,用于执行如权利要求1-4任一项所述的掩膜板的设计方法,其特征在于,包括:
模拟仿真模块,用于对蒸镀过程进行模拟仿真,所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层,所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体,所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条,交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口;
提取模块,用于所述蒸镀过程结束后,提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据,所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向;
补偿模块,用于根据所述位置偏差数据,对所述掩膜版进行位置偏移补偿,得到补偿后的掩膜版的设计数据。
7.一种掩膜版的设计系统,其特征在于,包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的掩膜版的设计方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的掩膜版的设计方法的步骤。
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