[发明专利]一种粉末原子层沉积设备及其沉积方法与应用

权利要求书

1.一种粉末原子层沉积设备，其特征在于，所述的粉末原子层沉积设备设置有：

可加热式主腔体；

可加热式主腔体通过轴承固定有机械传动轴，机械传动轴上卡接有粉末生长床，粉末生长床铺有粉末样品，机械传动轴上端安装有震动转动器；

可加热式主腔体左端通过法兰固定有可加热式气体管道，可加热式气体管道与可加热式主腔体连接处设置有粉末过滤器；

可加热式气体管道通过卡套与电磁阀连接，电磁阀通过可加热式气体管道与真空泵连接，电磁阀上端设置有剩余气体分析器。

2.如权利要求1所述的粉末原子层沉积设备，其特征在于，所述可加热式气体管道通过VCR接头与ALD阀连接，ALD阀通过VCR接头和管道与前驱体源瓶连接，可加热式气体管道设置有氮气进气口。

3.如权利要求1所述的粉末原子层沉积设备，其特征在于，所述震动转动器或安装于可加热式主腔体下端，进源端安装在腔体的可加热式主腔体正上方。

4.一种利用权利要求1所述粉末原子层沉积设备的粉末原子层沉积方法，其特征在于，所述粉末原子层沉积方法包括以下步骤：

步骤一，确定粉末样品的100℃~350℃生长温度，使可加热式主腔体保持在相应的生长温度；

步骤二，通入生长薄膜的前驱体一，使腔体气压响应大于10 Pa，前驱体一以化学吸附的形式吸附在粉末表面；

步骤三，抽离过量的前驱体一，再通入前驱体二，用于保证腔体气压响应大于10 Pa，使前驱体二与粉末表面化学吸附的前驱体一反应；

步骤四，抽离过量的前驱体二，完成二相化合物生长流程。

5.一种利用如权利要求4所述粉末原子层沉积方法生产的粉末原子层薄膜。

6.一种搭载权利要求1所述粉末原子层沉积设备的氮化铝薄膜制备装置，其特征在于，所述氮化铝薄膜制备装置设置有：

可加热式主腔体；

可加热式主腔体通过轴承固定有机械传动轴，机械传动轴上卡接有粉末生长床，粉末生长床铺有粉末样品，机械传动轴上端设置有震动转动器；

可加热式主腔体左端通过法兰固定有可加热式气体管道，可加热式气体管道与可加热式主腔体连接处安装有粉末过滤器，粉末过滤器左端安装有等离子体发生器；

等离子体发生器通过可加热式气体管道与剩余气体分析器连接，等离子体发生器通过可加热式气体管道与电磁阀连接，电磁阀通过可加热式气体管道与真空泵连接。

7.如权利要求6所述的氮化铝薄膜制备装置，其特征在于，所述可加热式气体管道通过VCR接头与ALD阀连接，ALD阀通过VCR接头和管道与前驱体源瓶连接，可加热式气体管道设置有氮气进气口。

8.如权利要求6所述的氮化铝薄膜制备装置，其特征在于，所述震动转动器或安装于可加热式主腔体下端，进源端安装在腔体的可加热式主腔体正上方。

9.一种利用权利要求6所述氮化铝薄膜制备装置制备氮化铝薄膜的方法，其特征在于，所述制备氮化铝薄膜的方法包括：

第一步，确定粉末样品的100℃~350℃生长温度，使可加热式主腔体保持在相应的生长温度；

第二步，通入生长薄膜的前驱体一，使腔体气压响应大于10 Pa，前驱体一以化学吸附的形式吸附在粉末表面；

第三步，抽离过量的前驱体一，再通入前驱体二，用于保证腔体气压响应大于10 Pa，使前驱体二与粉末表面化学吸附的前驱体一反应；

第四步，抽离过量的前驱体二，完成二相化合物生长流程。

10.一种利用权利要求9所述制备氮化铝薄膜的方法沉积的氮化铝薄膜。