[发明专利]固态成像装置和电子设备在审
| 申请号: | 201910496754.3 | 申请日: | 2013-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN110289275A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
| 发明(设计)人: | 柳田刚志;马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭晓东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 配线层 固态成像装置 传感器基板 电路基板 第二电极 第一电极 电子设备 电接触 制造 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
第一配线层,形成在传感器基板上;以及
第二配线层,形成在电路基板上,其中
该传感器基板连接到该电路基板,该第一配线层和该第二配线层设置在该传感器基板和该电路基板之间,
第一电极形成在该第一配线层的表面上,
第二电极形成在该第二配线层的表面上,并且
该第一电极与该第二电极电接触。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
浮置扩散区域形成在该传感器基板中,并且第一电导体将该浮置扩散区域连接到该第一电极。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
第二电导体将该第二电极连接到放大晶体管的栅极电极。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
第一光敏二极管和第二光敏二极管形成在该传感器基板中,该第一光敏二极管和该第二光敏二极管共享放大晶体管。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
其中形成该第一电极和该第二电极的区域在平行于该第一配线层的表面的方向上的宽度小于其中形成该第一光敏二极管和该第二光敏二极管的区域的宽度。
6.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
在平行于该第一配线层的表面的平面中,该第一电极的横截面面积大于该第一电导体的横截面面积。
7.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
在平行于该第一配线层的表面的平面中,该第二电极的横截面面积大于该第二电导体的横截面面积。
8.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
在平行于该第一配线层的表面的平面中,该第一电极或该第二电极的至少一个的横截面面积大于该浮置扩散区域的横截面面积。
9.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该第一电极包括沿平行于该第一配线层的表面的第一方向延伸的第一导体层,并且
该第二电极包括沿平行于该第二配线层的表面的第二方向延伸的第二导体层。
10.根据权利要求9所述的固态成像装置,其中
该第一电极为矩形形状,
该第二电极是矩形形状,
并且该第一方向垂直于该第二方向。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该第一电极包括形成在平行于该第一配线层的表面的第一方向上的第一导体层部分和形成在平行于该第一配线层的表面的第二方向上的第二导体层部分,该第一导体层部分与该第二导体层部分相交,并且平行于该第一配线层的表面的该第一方向与平行于该第一配线层的表面的该第二方向垂直,
该第二电极包括形成在平行于该第二配线层的表面的第一方向上的第三导体层部分和形成在平行于该第二配线层的表面的第二方向上的第四导体层部分,该第三导体层部分与该第四导体层部分相交,并且平行于该第二配线层的表面的该第一方向与平行于该第二配线层的表面的该第二方向垂直,并且
该第一导体层部分平行于该第三导体层部分,并且该第二导体层部分平行于该第四导体层部分。
12.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该第一电极形成第一栅格形状,
该第二电极形成第二栅格形状,并且
在平行于该第一配线层的表面的方向上,该第一电极的中心从该第二电极的中心偏移。
13.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该第一电极形成第一网状,
该第二电极形成第二网状,并且
在平行于该第一配线层的表面的方向上,该第一电极的中心从该第二电极的中心偏移。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





