[发明专利]额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201910495439.9 申请日: 2019-06-10
公开(公告)号: CN110729971A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 申华亨;沈贤澈 申请(专利权)人: 芯光飞株式会社
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/24
代理公司: 31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟羽
地址: 韩国京畿道城南市盆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 低噪声放大器 输入线 晶体管 最大性能 直流电 隔直电容器 阻抗匹配部 二极管 电压调节 基准电压 偏压部 驱动点 阻抗 匹配 阻隔 放大 输出 外部
【权利要求书】:

1.一种额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,包括:

一个以上的晶体管,对通过上述低噪声放大器的输入线从外部输入的信号进行放大来输出;

偏压部,与上述输入线相连接,用于设定上述晶体管的驱动点;

阻抗匹配部,用于匹配上述低噪声放大器的阻抗;

隔直电容器,与上述输入线相连接,用于阻隔上述输入信号的直流电的部分;以及

第一二极管,连接在上述晶体管的三个端子中的第一端子与第二端子之间,用于将上述第一端子与上述第二端子之间的电压调节为第一基准电压以下。

2.根据权利要求1所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,

上述晶体管由场效应晶体管构成,

上述第一基准电压为上述场效应晶体管的第一端子与第二端子之间的最大额定电压,

上述第一二极管包括以背对背结构连接的两个二极管。

3.根据权利要求1所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,还包括第二调节部,上述第二调节部与上述低噪声放大器的驱动电源线相连接,用于将上述晶体管的第三端子与上述第一端子之间的电压调节为第二基准电压以下。

4.根据权利要求3所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,上述第二调节部由与上述驱动电源线并联的一个以上的二极管构成。

5.根据权利要求3所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,

上述第二调节部连接在上述驱动电源线与上述输入线之间,将上述低噪声放大器的驱动电源根据上述输入信号的电平转换为不同电平的电压来向上述驱动电源线施加,

上述不同电平的电压为将上述第三端子与上述第一端子之间的电压调节为上述第二基准电压以下的电压。

6.根据权利要求5所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,上述第二调节部包括:

信号生成器,与上述输入线相连接,若从上述输入信号检测到预设的检测电平以上的信号,则输出使能信号;以及

稳压器,输入端与上述信号生成器相连接,输出端与上述驱动电源线相连接,以上述使能信号的输与否为基准,将上述驱动电源转换为上述不同电平的电压来向上述驱动电源线施加。

7.根据权利要求6所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,

上述信号生成器包括:

信号检测器,与上述输入线相连接,用于从上述输入信号检测信号电平;以及

比较器,连接在上述信号检测器与上述稳压器之间,对上述信号电平与上述检测电平进行比较,若检测到上述检测电平以上的信号电平,则输出上述使能信号,

在输出上述使能信号的情况下,上述稳压器将上述驱动电源转换为上述不同电平的电压中的低电平的电压,在未输出上述使能信号的情况下,上述稳压器将上述驱动电源转换为上述不同电平的电压中的高电平的电压。

8.根据权利要求6所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,上述稳压器为低压降稳压器。

9.根据权利要求1所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,还包括第三二极管,上述第三二极管与上述输入线相连接,用于将上述输入信号的电压调节为第三基准电压以下。

10.根据权利要求9所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,上述第三二极管包括以相互背对背结构连接的两个二极管。

11.根据权利要求1所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,

上述晶体管包括与上述输入线相连接的输入晶体管以及与上述低噪声放大器的驱动电源线相连接的输出晶体管,且由相互共源共栅结构连接的多个晶体管构成,

上述第一二极管连接在上述输入晶体管的第一端子与第二端子之间。

12.根据权利要求3所述的额定数值能得到最大性能改善的低噪声放大器,其特征在于,

上述晶体管包括与上述输入线相连接的输入晶体管以及与上述低噪声放大器的驱动电源线相连接的输出晶体管,且由相互共源共栅结构连接的多个晶体管构成,

上述第二调节部用于将上述输出晶体管的第三端子与第一端子之间的电压调节为上述第二基准电压以下。

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