[发明专利]超导电路及其制备方法

权利要求书

1.一种超导电路，其特征在于，包括：底层结构，其中，所述底层结构包括超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分,所述超导量子比特底层部分和所述其余超导电路底层部分通过同一底层超导层连接。

2.根据权利要求1所述的超导电路，其特征在于，所述超导电路还包括：顶层结构，其中，所述顶层结构包括超导量子比特顶层部分和其余超导电路顶层部分,所述超导量子比特顶层部分和所述其余超导电路顶层部分通过同一顶层超导层连接。

3.根据权利要求2所述的超导电路，其特征在于，所述底层超导层和/或所述顶层超导层包括金属层或超导化合物层。

4.根据权利要求3所述的超导电路，其特征在于，所述金属层或超导化合物层的材料为以下至少之一：铝，铌,氮化铌，氮化钛。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的超导电路，其特征在于，所述底层结构与所述顶层结构交叠处之间设置有绝缘层。

6.一种超导电路的制备方法，其特征在于，包括：

以第一光刻胶覆盖第一区域，以第二光刻胶覆盖第二区域，其中，所述第一区域包括待制备的超导电路的超导量子比特底层部分将在的区域，所述第二区域包括待制备的超导电路的其余超导电路底层部分将在的区域，所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；

在所述第二光刻胶上光刻出所述其余超导电路底层部分，并暴露出所述第二光刻胶覆盖的所述第一光刻胶；

在暴露出的所述第一光刻胶上光刻出所述超导量子比特底层部分，并在所述第一区域和所述第二区域积淀底层超导材料；

去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，得到超导电路的底层结构，其中，所述超导电路的超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分通过积淀的所述底层超导材料形成的同一底层超导层连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

通过以下方式至少之一，在暴露出的所述第一光刻胶上光刻出所述超导量子比特底层部分:交叠法,投影蒸镀法；通过以下方式至少之一，在所述第二光刻胶上光刻出所述其余超导电路底层部分:剥离法，腐蚀法，刻蚀法；

其中，所述第一光刻胶包括：电子束光刻光刻胶，所述第二光刻胶包括：光学光刻胶。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述超导电路的底层结构的基础上，以第三光刻胶覆盖第三区域，以第四光刻胶覆盖第四区域，其中，所述第三区域包括所述超导电路的超导量子比特顶层部分将在的区域，所述第四区域包括所述超导电路的其余超导电路顶层部分将在的区域，所述第四光刻胶覆盖所述第三光刻胶；

在所述第四光刻胶上光刻出所述其余超导电路顶层部分，并暴露出所述第四光刻胶覆盖的所述第三光刻胶；

在暴露出的所述第三光刻胶上光刻出所述超导量子比特顶层部分，在所述超导量子比特顶层部分与所述超导量子比特底层部分之间部分制备绝缘层，并在所述第三区域和所述第四区域积淀顶层超导材料；

去除所述第三光刻胶和所述第四光刻胶，得到超导电路的顶层结构，其中，所述超导电路的超导量子比特顶层部分和其余超导电路顶层部分通过积淀的所述顶层超导材料形成的同一顶层超导层连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

通过以下方式至少之一，在暴露出的所述第三光刻胶上光刻出所述超导量子比特顶层部分:交叠法,投影蒸镀法；通过以下方式至少之一，在所述第四光刻胶上光刻出所述其余超导电路顶层部分:剥离法，腐蚀法，刻蚀法；

其中，所述第三光刻胶包括：电子束光刻光刻胶，所述第四光刻胶包括：光学光刻胶。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述底层超导材料和/或所述顶层超导材料包括以下至少之一：铝，铌,氮化铌，氮化钛。