[发明专利]一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法，其特征在于硅片依次经过去损伤层步骤、制作选择性发射极步骤、制绒步骤、制作表面场步骤、镀减反射膜步骤、丝网印刷步骤和烧结步骤；

所述的去损伤层步骤：

(1)将所述硅片依次经过KOH和H₂O₂混合液、KOH水溶液、HCl和HF混合液，以去除硅片表面线切割所带来的损伤层来降低载流子表面复合；

所述制作选择性发射极步骤：

(1)按照电池背面结构设计图案，在所述硅片N+背场上沉积光刻胶掩膜层，以保证不被硼原子掺杂；

(2)将电池片正对正接触放置在石英舟中，在三溴化硼、氧气气氛中对电池背面进行扩散，形成P+发射极；所述制绒过程步骤：

(1)将所述完成P+发射极制作的硅片依次经过HF水溶液、NaOH和制绒添加剂混合液，在HF液的目的是完成硅片N+背场上光刻胶层的去除和P+发射极区上硼硅玻璃(BSG)的减薄，以此降低P+发射极区表面的多孔缺陷；

(2)在NaOH及制绒添加剂溶液下对所述硅片N+背场及前表面进行织构化处理；所述制作表面场步骤：

(1)在所述P+发射极区上沉积光刻胶掩膜层，以保护P+发射极区不被磷原子掺杂；

(2)在三氯氧磷氛围下对电池进行双面扩散，以形成前表面场及N+背场；

(3)在HF水溶液下去除发射极区的光刻胶层并减薄PSG，达到减少表面多孔缺陷来降低载流子表面复合的目的；

所述的镀减反射膜包括：

(1)首先在电池正面镀减反射膜。

2.其次在背面镀减反射膜；根据权利要求1所述的一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法，其特征在于所述丝网印刷分为五步印刷，依次包括第一步印刷：点印式烧穿型副栅线银、铝、铜、镀银铜、镀镍铜、镀锡铜或合金浆料并烘干，第二步印刷层线型副栅线银、铝、铜、镀银铜、镀镍铜、镀锡铜或合金浆料并烘干烧结，第三四步印刷：分步印刷绝缘浆料两次且每印刷完一次经过烘干，和第五步主栅线印刷一次。