[发明专利]一种适用于5G的逆E类射频功率放大器

权利要求书

1.一种适用于5G的逆E类射频功率放大器，其特征在于包括输入电路、输入匹配及稳定网络、滤波偏置电路、晶体管、具有对寄生参数补偿功能的谐波控制网络、基波匹配电路和输出电路，所述的输入电路用于接入外部输入信号，所述的输入匹配及稳定网络用于将所述的逆E类射频功率放大器源阻抗匹配至50Ω并保证所述的晶体管在工作频段内能稳定工作，所述的滤波偏置电路用于接入所述的晶体管的漏极偏置电压和栅极偏置电压，所述的输入匹配及稳定网络和所述的基波匹配电路分别采用阶跃阻抗低通滤波电路结构来实现，所述的输入匹配及稳定网络具有输入端、输出端和偏置端，所述的滤波偏置电路具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，所述的输入电路、所述的谐波控制网络、所述的基波匹配电路和所述的输出电路分别具有输入端和输出端，所述的输入电路的输入端为所述的逆E类射频功率放大器的输入端，所述的输入电路的输出端和所述的输入匹配及稳定网络的输入端连接，所述的输入匹配及稳定网络的输出端和所述的晶体管的栅极连接，所述的输入匹配及稳定网络的偏置端和所述的滤波偏置电路的第一输出端连接，所述的滤波偏置电路的第一输入端为所述的逆E类射频功率放大器的第一偏置端，用于接入所述的晶体管的栅极偏置电压，所述的滤波偏置电路的第二输入端为所述的逆E类射频功率放大器的第二偏置端，用于接入所述的晶体管的漏极偏置电压，所述的晶体管的漏极和所述的谐波控制网络的输入端连接，所述的谐波控制网络的输出端、所述的滤波偏置电路的第二输出端和所述的基波匹配电路的输入端连接，所述的基波匹配电路的输出端和所述的输出电路的输入端连接，所述的输出电路的输出端为所述的逆E类射频功率放大器的输出端；所述的谐波控制网络包括第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线，所述的第一微带线的一端为所述的谐波控制网络的输入端，所述的第一微带线的另一端、所述的第二微带线的一端和所述的第三微带线的一端连接，所述的第二微带线的另一端接地，所述的第三微带线的另一端和所述的第四微带线的一端连接且其连接端为所述的谐波控制网络的输出端，所述的第二微带线为四分之一波长短截线。

2.根据权利要求1所述的一种适用于5G的逆E类射频功率放大器，其特征在于所述的基波匹配网络包括第五微带线、第六微带线、第七微带线和第一电容，所述的第五微带线的一端为所述的基波匹配网络的输入端，所述的第五微带线的另一端和所述的第六微带线的一端连接，所述的第六微带线的另一端和所述的第七微带线的一端连接，所述的第七微带线的另一端和所述的第一电容的一端连接，所述的第一电容的另一端为所述的基波匹配网络的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种适用于5G的逆E类射频功率放大器，其特征在于所述的输入匹配及稳定网络包括第二电容、第三电容、第一电阻、第八微带线、第九微带线和第十微带线，所述的第二电容的一端为所述的输入匹配及稳定网络的输入端，所述的第二电容的另一端和所述的第八微带线的一端连接，所述的第八微带线的另一端和所述的第九微带线的一端连接，所述的第九微带线的另一端、所述的第一电阻的一端和所述的第三电容的一端连接，所述的第一电阻的另一端、所述的第三电容的另一端和所述的第十微带线的一端连接且其连接端为所述的输入匹配及稳定网络的偏置端，所述的第十微带线的另一端为所述的输入匹配及稳定网络的输出端。

4.根据权利要求1所述的一种适用于5G的逆E类射频功率放大器，其特征在于所述的滤波偏置电路包括第四电容、第五电容、第二电阻、第十一微带线和第十二微带线，所述的第四电容的一端和所述的第十一微带线的一端连接且其连接端为所述的滤波偏置电路的第一输入端，所述的第四电容的另一端接地，所述的第十一微带线的另一端和所述的第二电阻的一端连接，所述的第二电阻的另一端为所述的滤波偏置电路的第一输出端，所述的第五电容的一端和所述的第十二微带线的一端连接且其连接端为所述的滤波偏置电路的第二输入端，所述的第五电容的另一端接地，所述的第十二微带线的另一端为所述的滤波偏置电路的输出端，所述的第十一微带线和所述的第十二微带线均为四分之一波长线。

5.根据权利要求1所述的一种适用于5G的逆E类射频功率放大器，其特征在于所述的输入电路包括第十三微带线，所述的第十三微带线的一端为所述的输入电路的输入端，所述的第十三微带线的另一端为所述的输入电路的输出端，所述的第十三微带线的特性阻抗为50Ω；所述的输出电路包括第十四微带线，所述的第十四微带线的一端为所述的输出电路的输入端，所述的第十四微带线的另一端为所述的输出电路的输出端，所述的第十四微带线的特性阻抗为50Ω。