[发明专利]一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片

权利要求书

1.一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，包括侧抛磨光纤、微带电极、石墨烯薄膜、PB薄膜、PMMA薄膜；所述侧抛磨光纤包括纤芯和包层，所述包层和纤芯经部分抛磨处理成抛磨区；所述侧抛磨光纤的抛磨区朝上且在纤芯两侧设有微带电极，所述微带电极覆盖至非抛磨区；所述微带电极的上表面从上至下依次覆盖有PMMA薄膜、PB薄膜、石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，所述微带电极包括第一金属电极与第二金属电极，第一金属电极与第二金属电极对称分布在纤芯两侧，覆盖在抛磨区和非抛磨区上。

3.根据权利要求2所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，所述第一、第二金属电极的间隔为1μm至60μm，厚度为15nm至200nm。

4.根据权利要求2所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，所述第一、第二金属电极材料采用相同的金属材料；或，所述第一、第二金属电极材料采用不同的金属材料；所述的金属材料包括金或银或铜或铝或氧化铟锡或钛或铬或镍或铂或钯或钼。

5.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，抛磨区所在的侧抛磨光纤的剩余厚度范围为15μm至105μm，抛磨区长度范围为2mm至25mm。

6.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，石墨烯薄膜为单层或多层石墨烯，PMMA薄膜厚度为20nm至400nm，PB薄膜厚度为10nm至100nm。

7.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，所述芯片直接在侧抛磨光纤上制作。

8.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，所述微带电极直接在侧抛磨光纤上制作，其制作方法为镀、刻、刮中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，在输入光功率为1nW时，所述的芯片的响应度超过1×10⁴A/W。

10.根据权利要求1所述的一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，其特征在于，在输入光功率为50mW时，所述芯片的响应时间在μs量级。