[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种制作阵列基板的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有驱动晶体管区域以及开关晶体管区域；

形成有源层，所述有源层形成在所述衬底的一侧，所述有源层包括层叠设置的至少两个亚层；

将所述有源层图案化，以形成驱动有源层以及开关有源层，其中，所述驱动有源层在所述衬底上的正投影位于所述驱动晶体管区域中，所述开关有源层在所述衬底上的正投影位于所述开关晶体管区域中，并且，所述驱动有源层中的载流子浓度，小于所述开关有源层中的载流子浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述有源层中，不同的所述亚层中的载流子浓度不同。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，靠近所述衬底的所述亚层中的载流子浓度，小于远离所述衬底的所述亚层中的载流子浓度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述有源层中，相邻两个所述亚层的材料以及厚度的至少之一不相同。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一亚层和第二亚层，所述第一亚层靠近所述衬底设置，

形成所述第一亚层的材料包括铟镓锌氧化物，所述第一亚层的厚度为10～50nm，所述第一亚层中的载流子浓度为10¹⁵～10¹⁹cm²V^-1s^-1；

形成所述第二亚层的材料包括铟锌氧化物，所述第二亚层的厚度为10～50nm，所述第二亚层中的载流子浓度为10¹⁸～10²⁰cm²V^-1s^-1。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述有源层图案化进一步包括：

通过第一构图工艺，将所述有源层刻蚀为第一部分以及第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述驱动晶体管区域中，所述第一部分远离所述衬底一侧的表面具有第一光刻胶；所述第二部分在所述衬底上的正投影位于所述开关晶体管区域中，所述第二部分远离所述衬底一侧的表面具有第二光刻胶；

通过第二刻蚀处理，去除所述第一光刻胶，暴露出所述第一部分；

通过第三处理，令所述第一部分中的载流子浓度小于所述第二部分中的载流子浓度，以便形成所述驱动有源层以及所述开关有源层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三处理进一步包括：

通过第三刻蚀处理，令所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述有源层中，相邻两个所述亚层的材料不同，所述第三处理进一步包括：

通过湿法刻蚀处理，刻蚀除去所述第一部分中的至少一个所述亚层。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三处理进一步包括：

在氧化性气体氛围中，对所述第一部分进行退火处理，或者利用氧化性气体所激发的等离子体对所述第一部分进行处理，以便令所述第一部分中的载流子浓度小于所述第二部分中的载流子浓度。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一构图工艺进一步包括：

在所述有源层远离所述衬底一侧的表面涂布光刻胶；

利用半色调掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶层，所述光刻胶层包括：光刻胶部分保留的所述第一光刻胶以及光刻胶完全保留的所述第二光刻胶；

对所述有源层进行第一刻蚀处理，去除未被所述光刻胶层覆盖的所述有源层，形成所述第一部分以及所述第二部分；

所述第二刻蚀处理包括干法刻蚀处理，所述第二刻蚀处理之后，所述第二光刻胶仍然部分保留；

对所述有源层进行所述第三处理之后，所述方法进一步包括：去除剩余的所述光刻胶层。