[发明专利]存储器控制器、存储器系统以及存储器系统的纠错方法在审

专利信息
申请号: 201910489712.7 申请日: 2019-06-06
公开(公告)号: CN111199768A 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 吴银珠;赵永进;李永根 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C16/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 史泉;王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 系统 以及 纠错 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器控制器,包括:

纠错码电路,被配置为:校正从存储器装置提供的读取码字的错误,其中,纠错码电路包括:

码字组合生成器,被配置为:接收从存储器装置的第一区域读取的包括多个第一读取码字比特值的第一读取码字,通过改变所述多个第一读取码字比特值中的一个或多个的值来生成改变码字,并且提供包括改变码字的码字组合;以及

纠错码解码器,包括多个纠错码引擎,其中,纠错码解码器被配置为并行地对包括在码字组合中的多个码字执行纠错码解码。

2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,码字组合包括第一读取码字和多个改变码字,其中,所述多个改变码字中的每个具有与第一读取码字的所述多个第一读取码字比特值不同的相应的多个比特值。

3.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,第一读取码字通过使用第一读取电压电平对第一区域执行的第一读取操作被读取,

其中,码字组合生成器还被配置为:接收包括多个第二读取码字比特值的第二读取码字,第二读取码字通过使用第二读取电压电平对第一区域执行的第二读取操作被读取,

其中,第一读取码字的所述多个第一读取码字比特值的与第二读取码字的所述多个第二读取码字比特值不同的一个或多个第一读取码字比特值被识别为具有错误可能性的一个或多个第一比特。

4.根据权利要求3所述的存储器控制器,其中,纠错码电路还包括:错误向量生成器,被配置为:通过将第一读取码字的所述多个第一读取码字比特值与第二读取码字的所述多个第二读取码字比特值进行比较来生成表示所述一个或多个第一比特的位置的错误向量,

其中,码字组合生成器还被配置为:接收错误向量并通过改变所述多个第一读取码字比特值的由错误向量指示的值来生成改变码字。

5.根据权利要求3所述的存储器控制器,其中,第一读取电压电平和第二读取电压电平具有不同的值。

6.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,纠错码解码器还被配置为:对第一读取码字执行纠错操作,

其中,生成改变码字的操作和并行地对包括在码字组合中的多个码字执行纠错码解码的操作基于第一读取码字具有不可校正的错误而被选择性地执行。

7.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,纠错码解码器还被配置为:对第一读取码字执行第一纠错操作,并且基于第一读取码字具有第一不可校正的错误而对从第一区域读取的第二读取码字执行第二纠错操作,

其中,生成改变码字的操作和并行地对包括在码字组合中的多个码字执行纠错码解码的操作基于第二读取码字具有第二不可校正的错误而被选择性地执行。

8.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述存储器控制器被配置为:不管主机的请求而校正第一区域至第N区域的数据的错误,并且周期性地执行将校正的数据重新写入第一区域至第N区域中的数据清理操作,其中,N是等于或大于2的整数,

其中,纠错码电路还被配置为:在重新写入校正的数据的数据清理操作正被执行的同时,接收通过对第一区域至第N区域中的每个执行的多个读取操作读取的多个读取码字,并且对从所述多个读取码字生成的改变码字执行并行纠错码解码。

9.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,第一读取码字是使用与第一区域相关联的先前设置的第一读取电压电平读取的数据,

其中,所述存储器控制器被配置为:基于码字组合的纠错码解码结果,将第二读取电压电平确定为与第一区域对应的最佳读取电压电平,并且基于对第一区域的读取请求被接收,使用第二读取电压电平执行初始读取操作。

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