[发明专利]一种离子注入方法及实现其的离子注入机在审

专利信息
申请号: 201910487944.9 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN110176394A 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 赖朝荣;裴雷洪 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 201315 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 离子束流 离子 点状 晶圆 扫描 离子注入机 宽度调整 扫描路径 扫描区域 有效离子 产能 束流 贴合 垂直 移动
【权利要求书】:

1.一种离子注入方法,其特征在于:包括:

提供注入到晶圆的点状离子束流;

控制所述晶圆在第一方向上来回移动;

控制所述点状离子束流在垂直于第一方向的第二方向上来回扫描;以及

基于所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度调整所述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度。

2.如权利要求1所述的离子注入方法,其特征在于,基于所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度调整所述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度进一步包括:

所述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度随所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度的增大而增大,随所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度的减小而减小。

3.如权利要求1所述的离子注入方法,其特征在于,所述离子注入方法还包括:

根据所述晶圆在第一方向上来回移动的距离确定所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度。

4.如权利要求1所述的离子注入方法,其特征在于,所述离子注入方法还包括:

通过后置在所述晶圆的束流传感器获取注入到所述晶圆的离子束流宽度为所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度。

5.如权利要求4所述的离子注入方法,其特征在于,所述束流传感器为法拉第杯。

6.权利要求1所述的离子注入方法,其特征在于,控制所述点状离子束流在第二方向上来回扫描进一步包括:

控制所述点状离子束流经偏转单元,所述偏转单元产生的电磁场使所述点状离子束流在第二方向上发生偏转;以及

连续调整所述偏转单元产生的电磁场的方向以控制使所述点状离子束流在第二方向上来回移动。

7.如权利要求6所述的离子注入方法,其特征在于,调整所述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度进一步包括:

连续调整所述电磁场的强度以调整所述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度。

8.权利要求1所述的离子注入方法,其特征在于,所述离子注入方法还包括:

控制所述点状离子束流在第二方向上来回扫描的扫描频率以控制所述点状离子束流注入所述晶圆的均匀性。

9.如权利要求8所述的离子注入方法,其特征在于,控制所述扫描频率为1000±10%赫兹。

10.一种实现如权利要求1-9中任一项所述离子注入方法的离子注入机。

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