[发明专利]不同类型存储单元的控制装置及方法在审

专利信息
申请号: 201910486615.2 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN111399752A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 许胜一 申请(专利权)人: 慧荣科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 南霆;程爽
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 不同类型 存储 单元 控制 装置 方法
【说明书】:

发明提出一种用于控制不同类型存储单元的方法及装置。该装置包含:接口,及处理单元。接口连接至少二种不同类型的存储单元,其中包含非易失性的混合型存储器。处理单元耦接接口,用于通过接口对不同类型的存储单元存取数据。混合型存储器的设置可提供主装置更多样的应用潜能,并且将混合型存储器连接上整合型接口可节约硬件成本。

技术领域

本发明涉及存储装置,尤指一种用于控制不同类型存储单元的方法及装置。

背景技术

闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置,主装置(Host)可在地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址,并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储在该地址上的数据。相反地,NAND闪存并非随机存取,而是序列存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样,可以存取任何随机地址,主装置反而需要写入序列的字节(Bytes)的值到NAND闪存中,用以定义请求命令(Command)的类型(如,读取、写入、抹除等),以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。

大量存储装置(Mass Storage Device)的存储空间可使用NAND闪存存储装置实施,其中包含大量的三层式单元(Triple Level Cells,TLCs),用于存储大量的数据。然而,三层式单元的写入需要较长的时间。此外,三层式单元还需要耗费时间执行耗损平均(WearLeveling)操作,用于延长大量存储装置的使用寿命。当大量存储装置的存储空间只以三层式单元实施时,对于主装置来说,应用的弹性不足,例如,较不适合需要快速存取的冷数据。因此,本发明提出一种用于控制不同类型存储单元的方法及装置,用以克服如上所述的限制。

发明内容

有鉴于此,如何减轻或消除上述相关领域的缺失,实为有待解决的问题。

本发明提出一种用于控制不同类型存储单元的装置。该装置包含:接口;及处理单元。接口连接至少二种不同类型的存储单元,其中包含非易失性的混合型存储器。处理单元耦接接口,用于通过接口对不同类型的存储单元存取数据。

本发明另提出一种用于控制不同类型存储单元的方法,该方法由处理单元在加载及执行软件或固件指令时实施,包含:配置接口为第一工作模式,其中,接口包含多个信道,每个信道连接第一类型及第二类型的存储单元,第一工作模式相应于第一类型的存储单元;驱动接口发出第一信号启动不同信道间的第一类型的存储单元;驱动接口存取第一类型的存储单元的数据;以及于存取第二类型的存储单元的数据前,重新配置接口为第二工作模式,相应于第二类型的存储单元。

本发明另提出一种用于控制不同类型存储单元的方法,该方法由处理单元在加载及执行软件或固件指令时实施,包含:在系统开机阶段,初始化非易失性的混合型存储器;从混合型存储器读取配置闪存存储器的第一参数,以及系统内编程;根据第一参数初始化闪存存储器;以及执行系统内编程,用于进入正常工作模式并等待主装置发出的命令。

上述实施例的优点之一,通过如上所述的混合型存储器的设置,可提供主装置更多样的应用潜能。

上述实施例的另一优点,将混合型存储器连接上如上所述的整合型接口可节约硬件成本。

本发明的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。

图1为依据本发明实施例的闪存存储装置的系统架构示意图。

图2及图3为依据本发明实施例的闪存接口与不同种类闪存存储器之间的连接示意图。

图4及图5为依据本发明实施例的存储器接口与不同种类动态随机存取存储器之间的连接示意图。

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