[发明专利]一种双频段超材料吸波器及折射率传感器有效
| 申请号: | 201910481988.0 | 申请日: | 2019-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN110187420B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 龚鹏宇;邱彩玉;朱蓉蓉;郑斌;王璐璐;王万军 | 申请(专利权)人: | 余姚市万邦电机有限公司;浙江大学 |
| 主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G01N21/41 |
| 代理公司: | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人: | 胡文莉 |
| 地址: | 315450 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双频 材料 吸波器 折射率 传感器 | ||
1.一种双频段超材料吸波器,其特征在于,由多个单元结构组成,多个单元结构以周期性排列;每个所述的单元结构由金属平面基底、SiO2圆柱体、单层MoS2薄膜组成,所述的单层MoS2薄膜厚度为0.615nm;所述的金属平面基底上以周期性设置多个SiO2圆柱体,单层MoS2薄膜覆盖于SiO2圆柱体顶部上。
2.根据权利要求1所述的一种双频段超材料吸波器,其特征在于,所述的金属平面基底的材料为金。
3.根据权利要求1所述的一种双频段超材料吸波器,其特征在于,所述的SiO2圆柱体高度、SiO2圆柱体阵列周期、SiO2圆柱体直径的参数均为可调,用来调节吸收峰的频段。
4.根据权利要求1所述的一种双频段超材料吸波器,其特征在于,所述的周期性排列为方阵形式排列。
5.一种折射率传感器,其特征在于,包括权利要求1到4任一项所述的双频段超材料吸波器。
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