[发明专利]一种电容传感器的灵敏度提高方法在审
| 申请号： | 201910481810.6 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110263683A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陶宪博 | 申请（专利权）人： | 苏州市乙木电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王凯 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽金属层 灵敏度 电容传感器 闭合 金属层 断开 电压缓冲器 顶部金属板 顶部金属层 充电时钟 寄生电容 时钟相位 高电平 接地端 放电 连通 共享 | ||
【权利要求书】：
1.一种电容传感器的灵敏度提高方法，其特征在于：所述方法基于一种传感单元，该传感单元包含有由上至下的顶部金属层、次顶部金属层和屏蔽金属层、以及位于三层金属层下的电压缓冲器，开关一SW1、开关二SW2、开关三SW3位于三层金属层下，且开关一SW1的两端分别连接于高电平VDD和顶部金属层之间，开关二SW2的两端分别与顶部金属层和次顶部金属层相连接，开关三SW3的一端与次顶部金属层相连接、另一端连接至接地端VSS；次顶部金属层经电压缓冲器输出电信号；屏蔽金属层连接至电压缓冲器的输出端；
所述提高方法为：
在充电时钟相位下：开关一SW1和开关三SW3闭合、开关二SW2断开，此时，顶部金属板连通至高电平VDD，次顶部金属层连接至接地端VSS放电；
在共享时钟相位下：开关一SW1和开关三SW3断开、开关二SW2闭合；此时，顶部金属层和金属层短接在一起，电压重新分配，该电压分配取决于顶部金属层和指纹之间的指纹电容Cfinger、与金属层和屏蔽金属层之间的寄生电容Cparasitic的比值，输出电压Vout＝[Cfinger/(Cfinger+Cparasitic)]*Vdd，屏蔽金属层的电压通过电压缓冲器跟随VS节点的电压，从而降低寄生电容Cparasitic的等效电容值，使得寄生电容对Vout的影响减小，提高灵敏度。
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