[发明专利]光学元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光学元件的制造方法，包括：

提供一基板；

形成复数个金属栅于该基板上，其中每一金属栅具有一上表面与一中心轴；

形成一有机层于该基板与该复数个金属栅上；

蚀刻该有机层，以形成一第一图案化有机层以及复数个第一沟槽，该第一图案化有机层包括复数个第一突出部，其包围该复数个第一沟槽，其中每一第一突出部具有一上表面与侧壁，且每一第一沟槽具有一底部；以及

蚀刻该第一图案化有机层，以形成一第二图案化有机层以及复数个第二沟槽，该第二图案化有机层包括复数个第二突出部，其包围该复数个第二沟槽，其中每一第二突出部具有一中心轴并覆盖一金属栅，

其中该第二图案化有机层的一第二突出部的该中心轴与该第二图案化有机层的该第二突出部所覆盖的一金属栅的该中心轴之间具有一距离。

2.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中每一第一沟槽的该底部位于每一金属栅的该上表面的上方，该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤使用一掩模层，其设置于该第一图案化有机层的每一第一突出部的一部分的该上表面作为一掩模，或设置于该第一图案化有机层的每一第一突出部的该上表面与一部分的该侧壁作为一掩模。

3.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中每一第一沟槽的该底部位于每一金属栅的该上表面的下方，且该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤使用一掩模层，其设置于该第一图案化有机层的每一第一突出部的一部分的该上表面，并填入该复数个第一沟槽作为一掩模。

4.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤还包括形成复数个延伸部，覆盖该复数个金属栅并连接该第二图案化有机层中相邻的该复数个第二突出部。

5.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中该有机层包括一第一部分与一第二部分，该第一部分的折射率介于1.4至1.55之间，该第二部分的折射率介于1.2至1.45之间，该第二部分位于该第一部分上，且该第一部分覆盖每一金属栅的该上表面，以及该蚀刻该有机层以形成该第一图案化有机层的步骤包括蚀刻该有机层的该第二部分以形成包括该复数个第一突出部的该第一图案化有机层，以及该有机层的该第一部分，该复数个第一突出部包围该复数个第一沟槽，且每一第一沟槽的该底部位于每一金属栅的该上表面的上方。

6.如权利要求5所述的光学元件的制造方法，其中该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤包括蚀刻该有机层的该第一部分以形成该复数个第二突出部以及该复数个第二沟槽，该复数个第二突出部包围该复数个第二沟槽，且于该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤之后，残留该有机层的一部分的该第一部分于每一第二突出部与每一金属栅之间。

7.如权利要求5所述的光学元件的制造方法，其中该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤使用一掩模层，其设置于该第一图案化有机层的每一第一突出部的该上表面作为一掩模，或设置于该第一图案化有机层的每一第一突出部的该上表面与一部分的该侧壁作为一掩模。

8.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，还包括填入彩色滤光片于该复数个第二沟槽，其中该蚀刻该有机层以形成该第一图案化有机层的步骤使用卤烷气体作为一蚀刻气体，以及该蚀刻该第一图案化有机层以形成该第二图案化有机层的步骤使用卤烷气体、氧气、二氧化碳或氮气作为一蚀刻气体。