[发明专利]可变保持时间模式分析方法、装置、设备及可读存储介质

说明书

本发明公开一种可变保持时间模式分析方法、装置、设备及可读存储介质。所述方法包括：依次对存储器中的各存储单元进行预设测试次数的保持时间测试；针对每个所述存储单元，将各所述保持时间测试中的各所述测试结果，转换为相应存储单元的可变保持时间图像；以及通过模式识别的方法，对各所述存储单元的所述可变保持时间图像进行分类，以获得各所述存储单元的可变保持时间的模式类型。根据本发明提供的可变保持时间模式分析方法，可以精确地确定各存储单元的可变保持时间关于测试次数的变化特征，同时可以有效地反映整个存储器上所有存储单元的可变保持时间存在多少种模式。

技术领域

本发明涉及存储器测试领域，具体而言，涉及一种可变保持时间模式分析方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

对于易失性存储器例如动态随机存储器(DRAM)，如图1所示，存储单元40由一个晶体管402和一个电容器404组成，其中字线(WL)上的电压VPP控制晶体管402的开关。当存储单元的晶体管402开启后，存储单元位线(BL)上的电压VBL对存储单元的电容器404充电；当存储单元的晶体管402关闭后，电容器404将随时间而漏电。存储器的保持时间就是电容器404在一定时间的漏电后，仍能保持原来信号的准位，而不会造成读取数据失效的有效时间。

存储器的制造过程中会有工艺上的偏差，导致有些电容器的保持时间会随着测试时间的增加产生变化，因而导致存储器具有可变保持时间(Variable Retention Time,VRT)问题。存储器的数据保持时间随时间的波动被称之为存储器的可变保持时间。波动通常包括通过状态和失效状态两种，且两种状态的时间振幅一定。一般情况下，通过状态的持续时间长，失效状态的持续时间短，但任何存储单元的失效状态均有可能导致保持时间的失效。

现有的存储器可变保持时间确定方法(如图2所示)通常针对特定的存储单元进行多次保持时间测试，但目前还没有对存储器的可变保持时间模式进行分析的方法。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种可变保持时间模式分析方法、装置、设备及可读存储介质。

本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本发明的一方面，提供一种可变保持时间模式分析方法，所述方法包括：依次对存储器中的各存储单元进行预设测试次数的保持时间测试，每次所述保持时间测试包括：获取测试数据图案；按照所述测试数据图案，依次对各所述存储单元进行预设读写次数的读写操作，以分别获得每次所述读写操作的各所述存储单元的测试结果，每次所述读写操作对应于不同的暂停时间；针对每个所述存储单元，将各所述保持时间测试中的各所述测试结果，转换为相应存储单元的可变保持时间图像；以及通过模式识别的方法，对各所述存储单元的所述可变保持时间图像进行分类，以获得各所述存储单元的可变保持时间的模式类型。

根据本发明的一实施方式，所述测试数据图案包含多个目标数据，每个所述目标数据对应于一个所述存储单元；按照所述测试数据图案，依次对各所述存储单元进行预设读写次数的读写操作包括：在每次所述读写操作中，按照所述测试数据图案在各所述存储单元中写入相应的目标数据；暂停预设的暂停时间；分别从各所述存储单元中读出结果数据；当一个所述存储单元写入的所述目标数据与所述结果数据相同时，确定该存储单元本次读写操作的所述测试结果为通过测试；当一个所述存储单元写入的所述目标数据与所述结果数据不相同时，确定该存储单元本次读写操作的所述测试结果为未通过测试；以及记录并存储各所述存储单元每次读写操作的所述测试结果。