[发明专利]一种基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器

权利要求书

1.一种基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器，其特征在于，包括自上而下依次设置的上金属层(1)、上玻璃基板(2)、中间金属层(3)、下玻璃基板(4)和下金属层(5)，其中，

所述上金属层(1)上设置有用作差分输入端口的第一金属片(6)和第二金属片(7)，以及用作差分输出端口的第三金属片(8)和第四金属片(9)；第一金属片(6)、第二金属片(7)、第三金属片(8)和第四金属片(9)的尺寸相同，长边的长度均为470μm、短边的长度为296μm；

所述上玻璃基板(2)上设置有多个上玻璃基板通孔(21)，所述上玻璃基板通孔(21)的内部填充有第一金属导体柱(22)，每个上玻璃基板通孔(21)的直径均为25μm，相邻的两个上玻璃基板通孔(21)之间的中心间距为50μm；

所述中间金属层(3)上设置有多个辐射窗口，所述多个辐射窗口均联通所述上玻璃基板(2)与所述下玻璃基板(4)；

所述下玻璃基板(4)上设置有多个下玻璃基板通孔(41)，所述下玻璃基板通孔(41)的内部填充有第二金属导体柱(42)，每个下玻璃基板通孔(41)的直径为25μm，相邻两个下玻璃基板通孔(6)之间的中心间距为50μm；

多个所述上玻璃基板通孔(21)在所述上玻璃基板(2)上形成两个对称且间隔的第一长方形结构和第二长方形结构，且所述第一金属片(6)、所述第二金属片(7)、所述第三金属片(8)和所述第四金属片(9)在所述上玻璃基板(2)的垂直投影范围内未开设上玻璃基板通孔(21)；

所述中间金属层(3)中开设有第一辐射窗口(31)、第二辐射窗口(32)、第三辐射窗口(33)和第四辐射窗口(34)，其中，

所述第一辐射窗口(31)、所述第二辐射窗口(32)、所述第三辐射窗口(33)和所述第四辐射窗口(34)均为圆形形状，直径均为304μm；

所述第一辐射窗口(31)和所述第二辐射窗口(32)对称分布在所述第一长方形结构的下方；

所述第三辐射窗口(33)和所述第四辐射窗口(34)对称分布在所述第二长方形结构的下方；

所述上金属层(1)的第一侧壁上开设有第一凹槽(11)和第二凹槽(12)，所述第一金属片(6)形成于第一凹槽(11)中，第二金属片(7)形成于第二凹槽(12)中；所述上金属层(1)的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上开设有第三凹槽(13)和第四凹槽(14)，第三金属片(8)形成于第三凹槽(13)中，第四金属片(9)形成于第四凹槽(14)中，四个金属片超出四个凹槽的长度均为100μm，四个凹槽的槽宽均为310μm，且金属片的宽度略小于凹槽的槽宽，使得金属片的两侧壁与相应的槽壁之间均存在一定间隙；

所述第一金属导体柱(22)的两端分别连接所述上金属层(1)与所述中间金属层(3)，并且多个所述第一金属导体柱(22)与所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)共同形成差分输入谐振腔(S)和差分输出谐振腔(L)；

所述第一凹槽(11)和所述第二凹槽(12)位于所述差分输入谐振腔(S)中所述第三凹槽(13)和所述第四凹槽(14)位于差分输出谐振腔(L)中；

多个所述下玻璃基板通孔(41)在所述下玻璃基板(4)上分布成三个长方形结构。

2.根据权利要求1所述的基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器，其特征在于，所述第二金属导体柱(42)的两端分别连接所述中间金属层(3)与所述下金属层(5)，并与所述中间金属层(3)和所述下金属层(5)共同形成第一阶谐振腔(R1)、第二阶谐振腔(R2)以及第三阶谐振腔(R3)。

3.根据权利要求2所述的基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器，其特征在于，所述第一阶谐振腔(R1)位于所述差分输入谐振腔(S)的下方，所述第三阶谐振腔(R3)位于所述差分输出谐振腔(L)的下方。

4.根据权利要求3所述的基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器，其特征在于，所述第一阶谐振腔(R1)与第二阶谐振腔(R2)之间设置有第一耦合窗口(43)和第二耦合窗口(44)，用于进行所述第一阶谐振腔(R1)与所述第二阶谐振腔(R2)之间的磁耦合；所述第二阶谐振腔(R2)与所述第三阶谐振腔(R3)之间设置有第三耦合窗口(45)与第四耦合窗口(46)，用于进行所述第二阶谐振腔(R2)与所述第三阶谐振腔(R3)之间的磁耦合。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)、所述中间金属层(3)、所述下金属层(5)、所述第一金属导体柱(10)以及所述第二金属导体柱(10)的材料均为铜。